一种稀土均匀掺杂光纤预制棒芯棒及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种稀土均匀掺杂光纤预制棒芯棒及其制备方法，所述的芯棒以二氧化硅为基质，至少掺杂有一种稀土离子和一种共掺离子，稀土元素的掺杂浓度按其氧化物形式计算，掺杂的稀土氧化物浓度为0.05～0.5mol%；共掺离子为Al和P元素中的至少一种，其共掺剂浓度按氧化物形式计算，共掺剂氧化物浓度范围为0.4～10mol%。芯棒采用粉末成型－烧结法制备。本发明专利技术纤芯在轴向和径向具有高的掺杂均匀性；纤芯折射率剖面具有高平坦性；纤芯数值孔径(NA)精确可调；光纤具有高的斜率效率。基于上述掺稀土芯棒，通过外包技术，一根芯棒，可制造出多种不同结构的掺稀土光纤，即满足单包层单模、双包层单模、保偏双包层和大模场面积空气孔双包层等不同结构的掺稀土光纤的制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于光纤制造

技术介绍
早在上世纪70年初，人们就开始了稀土掺杂氧化硅光纤的研究(Appl. Phys. Lett. , 1973，23(7) : 388-389)。光纤制备技术一般包括预制棒制备技术和光纤设计与实现技术。掺稀土光纤也同样如此。但是，由于掺稀土光纤的应用领域非常广泛，功能和应用要求也各不尽相同，因此，掺稀土光纤的制备相比更加复杂。在预制棒技术方面，被广泛采用的是MCVD法。在稀土掺杂技术方面，以MCVD工艺为基础，掺杂技术包括高温蒸发气相惨杂(Electron. Lett. , 1985, 21 (17) : 737- 738)、溶液惨杂(Electron. Lett. , 1987, 23(7) : 329-331)、中温螯合物气相掺杂(IEEE J. Lightwave Techn. , 1990，8(11): 1680-1683)、悬浮液法(US 7874180 B2)以及最近报告的原位溶液掺杂(CLES/QELS，San Jose, CA, 2010, JTuD)和坩埚内置螯合物掺杂(CLES/QELS, San Jose, CA,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稀土均匀掺杂光纤预制棒芯棒，其特征在于所述的芯棒以二氧化硅为基质，至少掺杂有一种稀土离子和一种共掺离子，稀土元素的掺杂浓度按其氧化物形式计算，掺杂的稀土氧化物浓度为0.05～0.5?mol%；共掺离子为Al和P元素中的至少一种，其共掺剂浓度按氧化物形式计算，共掺剂氧化物浓度范围为0.4～10?mol%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊良明，李江，罗杰，成煜，邓涛，韦会峰，胡鹏，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆有限公司，
类型：发明
国别省市：