【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅半导体制造
，特别涉及。
技术介绍
在半导体器件制作工艺中，随着半导体器件的高密度化和高集成化，采用多层 金属内连线工艺已成为许多集成电路所必须采用的方式。因此，实现硅衬底有源区与第 一层金属层的电连接的接触孔和实现各金属层之间的电连接的通孔等用于层之间的电连 接的埋入技术变得越来越重要。在接触孔的制作过程中，一般先在位于层之间的介电层上刻蚀出过孔并填充 Al、W、Cu等金属以实现插塞(plug)。但是由于Al、W、Cu等金属与介电层的粘附性 较差，且易与硅衬底发生反应，因此在沉积Al、W、Cu等金属之前通常在过孔的内侧沉 积成分为Ti/TiN的粘合层(gluelayer)。Ti层粘附性较好，可以增强Al、W、Cu等金属 与介电层间的粘附性，且Ti层与硅衬底反应形成低电阻率的TiSi2可作为接触层，而作为 阻挡层的TiN层可以阻挡上下层材料的交互扩散。图1为现有技术的形成有粘合层的接触孔的结构示意图。图1中，在硅衬底 (Si-sub) 11上形成有层间介电层12，且层间介电层12中形成有接触孔13。在接触孔13 中形成有粘合层。所述粘合层...
【技术保护点】
一种粘合层，其特征在于，包括Ｔｉ膜，形成于所述Ｔｉ膜上的富含Ｎ的第一ＴｉＮ膜，以及形成于所述第一ＴｉＮ膜上的富含Ｔｉ的第二ＴｉＮ膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，宋兴华，李志超，林艺辉，林保璋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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