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本发明公开了一种粘合层及其形成方法，通过在Ｔｉ膜上先形成富含Ｎ的第一ＴｉＮ膜，再在所述第一ＴｉＮ膜上形成富含Ｔｉ的第二ＴｉＮ膜，有效地减少了在硅衬底与Ｔｉ膜的界面处形成的ＴｉＳｉ２层的厚度，从而降低了结漏电现象的发生率。...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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