横向高压ＭＯＳ器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种横向高压ＭＯＳ器件，通过在器件的漂移区内埋入一反型埋层而形成。本发明专利技术还公开了该横向高压ＭＯＳ器件的制造方法，包括：在硅衬底上形成第一导电类型埋层、第一导电类型外延层以及一牺牲氧化层，采用光刻工艺确定漂移区中反型埋层的注入位置；以光刻胶为掩模进行第二导电类型杂质离子注入，形成一反型杂质区域；制作场氧化层，同时利用生长场氧化层的热过程对所述反型杂质进行激活和推进，形成漂移区中较浅的反型埋层；形成沟道区、源、漏、栅氧化层以及栅。本发明专利技术能改变器件漂移区中的电场分布，降低器件表面电场，提高器件的耐压性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种横向高压MOS器件，本发 明还涉及该横向高压MOS器件制造方法。
技术介绍
横向高压MOS器件耐压高，易于集成，普遍应用于高压集成电路和功率集成电路。 如图ι所示，为现有横向高压MOS器件，器件结构为在一硅衬底上形成一第一导电类型埋 层，并在第一导电类型埋层上形成一第一导电类型外延层；在所述第一导电类型外延层中 形成一第二导电类型沟道区，在所述第二导电类型沟道区中形成一重掺杂的第一导电类型 源区；在所述第一导电类型外延层中形成一重掺杂的第一导电类型漏区；沟道区和漏区之 间的第一导电类型外延层作为器件的漂移区；在漂移区上形成场氧化层，并和漏区相接； 在所述沟道区上形成栅氧化层，栅氧化层覆盖整个沟道区和部分漂移区，并在漂移区和所 述场氧化层相接；一栅形成在所述栅氧化层上，覆盖了全部的栅氧化层和部分场氧化层。现有的横向高压MOS器件会产生过高的表面电场，限制了其耐压性能的提高，处 在高压大电流工作条件时易发生栅氧化层击穿，造成器件损伤，严重影响了器件的可靠性。 常采用的内场限环不适用于尺寸稍小的器件，对耐压要求不是特别高的小尺寸高压管来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向高压ＭＯＳ器件，包括：一具有第一导电类型的埋层，形成在硅衬底上；一具有第一导电类型的外延层，形成在所述埋层上；一具有第二导电类型的沟道区，形成在所述外延层中；一具有第一导电类型的漏区，形成在所述外延层中，在所述漏区上形成一漏极；一漂移区，由处于所述沟道区和所述漏区间的所述外延层形成；一具有第一导电类型的源区，形成在所述沟道区中，在所述源区上形成一源极；一场氧化层，形成在所述漂移区上，并和漏区相接；一栅化层，形成在所述沟道区上，所述栅氧化层覆盖全部沟道区和部分漂移区并和所述场氧化层相连接；一栅，形成在栅氧化层上，所述栅覆盖全部所述栅氧化层和部分所述场氧化层；其特征在于：在所述漂移区内埋入...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文生，韩峰，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31