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本发明公开了一种横向高压ＭＯＳ器件，通过在器件的漂移区内埋入一反型埋层而形成。本发明还公开了该横向高压ＭＯＳ器件的制造方法，包括：在硅衬底上形成第一导电类型埋层、第一导电类型外延层以及一牺牲氧化层，采用光刻工艺确定漂移区中反型埋层的注入位置...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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