【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ开关芯片电路，包括ＮＭＯＳ管和ＰＭＯＳ管，其特征在于ＮＭＯＳ管的衬底接地，其源极通过第一电阻接输出端，漏极通过第二电阻接输入端，第一ＰＭＯＳ管的源极接输入端，漏极接输出端，第一ＰＭＯＳ管的衬底接衬底偏置电路，该衬底偏置电路还与输入端和输出端连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陶园林，
申请(专利权)人：上海益侃微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[]
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