一种驱动芯片保护电路制造技术

技术编号:9240310 阅读:167 留言:0更新日期:2013-10-10 03:59
本发明专利技术涉及一种驱动芯片保护电路,包括驱动芯片U1、二极管D1和场效应管Q1,驱动芯片U1的驱动输出端接二极管D1的负极,场效应管Q1的栅极接二极管D1的正极,二极管D1的正极经稳压管ZD2接地;二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极,稳压管ZD2的阳极接地,二极管D1的正极与场效应管Q1的栅极之间连接有快断保险管FU,二极管D1的负极经稳压管ZD1接地;二极管D1的负极接稳压管ZD1的阴极,稳压管ZD1的阳极接地,当场效应管Q1击穿损坏时,场效应管Q1栅极的高压首先经快断保险管FU加到稳压管ZD2的阴极,使稳压管ZD2击穿。同时产生的大电流使快断保险管FU迅速熔断,使高压不至于加到驱动芯片U1的驱动输出端。有效地保护驱动芯片U1不致损坏。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种驱动芯片保护电路,包括驱动芯片U1、二极管D1和场效应管Q1,驱动芯片U1的驱动输出端接二极管D1的负极,场效应管Q1的栅极接二极管D1的正极,其特征在于:所述二极管D1的正极经稳压管ZD2接地;所述二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极,稳压管ZD2的阳极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘祖社李建军邱纯勇
申请(专利权)人:潍坊晶兰电源技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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