一种LED驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种LED驱动电路，保护电路包括三极管Q2，三极管Q2的集电极接场效应管Q1的栅极；三极管Q2的基极接场效应管Q1的源极，三极管Q2的发射极接地，保护电路包括电阻R12、电容C12和晶闸管VT；晶闸管VT的阳极接驱动芯片U1的驱动输出端，晶闸管VT的阴极接地；晶闸管VT的门极接电阻R12的一端和电容C12的一端；电阻R12的另一端接地，电容C12的另一端接场效应管Q1的源极，场效应管Q1击穿后，三极管Q2迅速饱和，三极管Q2的集电极短路到地，保护驱动芯片U1，限流电阻R15上端产生的高电压同时通过电容C12加到晶闸管VT的门极，使其导通，晶闸管VT的阳极电压降为0V，使驱动芯片U1得到保护，有效地保护驱动芯片U1，实现了多重保护。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种LED驱动电路，包括驱动控制电路（6），驱动控制电路（6）包括驱动芯片U1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端经反接的二极管D11接场效应管Q1的栅极，其特征在于：所述驱动控制电路（6）电连接有保护电路（7），驱动芯片U1的型号为SA7527；所述保护电路（7）包括三极管Q2，三极管Q2的集电极接场效应管Q1的栅极；所述三极管Q2的基极接场效应管Q1的源极，三极管Q2的发射极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李建军，刘祖社，邱纯勇，
申请(专利权)人：潍坊晶兰电源技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：