本发明专利技术属于直流电转换领域，提供了一种DC-DC转换电路和DC-DC芯片。在本发明专利技术中，根据DC-DC输出端的反馈电压的变化控制分流模块对充放电模块的充电电流进行分流，从而改变充放电模块的充电电流，进而改变充放电电容的充电时间，进一步使振荡电路的振荡周期发生改变，达到软启动的目的，本发明专利技术提供的DC-DC转换电路能够对其软启动周期进行调节，而不需要芯片专用引脚且不需要增加充放电电容的容量，设计简单，降低了电路的成本，而且可以抑制电路启动时输出端的浪涌电流，消除电压过冲。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术属于直流电转换领域，提供了一种DC-DC转换电路和DC-DC芯片。在本专利技术中，根据DC-DC输出端的反馈电压的变化控制分流模块对充放电模块的充电电流进行分流，从而改变充放电模块的充电电流，进而改变充放电电容的充电时间，进一步使振荡电路的振荡周期发生改变，达到软启动的目的，本专利技术提供的DC-DC转换电路能够对其软启动周期进行调节，而不需要芯片专用引脚且不需要增加充放电电容的容量，设计简单，降低了电路的成本，而且可以抑制电路启动时输出端的浪涌电流，消除电压过冲。【专利说明】—种DC-DC转换电路和DC-DC芯片
本专利技术属于直流电转换领域，尤其涉及一种DC-DC转换电路和DC-DC芯片。
技术介绍
DC-DC转换电路在上电时，输出端会有很大的浪涌电流，还有可能出现电压过冲，这些都会给DC-DC转换电路所在的电子系统造成不确定影响，因此需要软启动来实现DC-DC转换电路的平稳启动，来限制浪涌电流，消除输出电压过冲。一般的软启动电路都需要芯片专用引脚来外接电容以达到软启动的功能，这就造成了芯片应用时电路的复杂以及应用成本的提高。在现有技术中，DC-DC转换电路(芯片)内部集成有软启动电路，但是由于软启动的时间和充电电容的充电时间呈正比，而充电电流不会改变，当要较长的软启动时间时，必须增加充电电容的容量，设计复杂且增加了整个电路的成本。
技术实现思路
本专利技术提供了一种DC-DC转换电路，旨在解决现有DC-DC转换电路中软启动电路设计复杂、成本较高的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的:一种DC-DC转换电路，包括控制所述DC-DC转换电路软启动周期的振荡电路，所述振荡电路包括与充电电源连接的充放电模块，所述充放电模块包括与充电电源连接的充放电电容，所述DC-DC转换电路还包括:第一电源端和第二电源端分别与所述DC-DC转换电路的参考电压输出端和电压反馈端连接，输入端与所述充放电模块的充电线路连接，输出端接地，用于根据所述DC-DC转换电路的反馈电压的变化对所述充放电模块在充电过程中的电流进行分流以调节所述振荡周期的分流模块。进一步地，所述振荡电路还包括生成振荡信号的振荡器。进一步地，所述充放电模块包括至少一个充放电电容。进一步地，所述分流模块包括第一运算放大器Ul以及第一开关管；所述第一运算放大器Ul的反相输入端为所述分流模块的第一电源端，所述第一运算放大器Ul的正相输入端为所述分流模块的第二电源端，所述运算放大器的输出端与所述第一开关管的控制端连接，所述第一开关管的高电位端为所述分流模块的输入端，所述第一开关管的低电位端为所述分流模块的输出端。进一步地，所述第一开关管为第一 NMOS管；所述第一 NMOS管的栅极为所述第一开关管的控制端，所述第一 NMOS管的漏极为所述第一开关管的高电位端，所述第一 NMOS管的源极为所述第一开关管的低电位端。进一步地，所述第一开关管为第一 NPN型三极管；所述第一 NPN型三极管的基极为所述第一开关管的控制端，所述第一 NPN型三极管的基极为所述第一开关管的高电位端，所述第一 NPN型三极管的发射极为所述第一开关管的低电位端。进一步地，所述分流模块包括:第一 PMOS场效应管、第二 PMOS场效应管、第三PMOS场效应管、第四NMOS场效应管以及第二开关管；所述第一 PMOS场效应管的栅极为所述分流模块的第一电源端，所述第一 PMOS场效应管的源极与所述第二 PMOS场效应管的漏极以及所述第三PMOS场效应管的源极连接，所述第二 PMOS场效应管的栅极与所述DC-DC转换电路的偏置电流输出端连接，所述第二PMOS场效应管的源极与所述DC-DC转换电路的电源端连接，所述第三PMOS场效应管的栅极为所述分流模块的第二电源端，所述第三PMOS场效应管的漏极与所述第四NMOS场效应管的漏极以及所述第四NMOS场效应管的栅极连接，所述第一 PMOS场效应管的漏极与所述第四NMOS场效应管的源极共接于所述第二开关管的低电位端，所述第四NMOS场效应管的栅极与所述第二开关管的控制端连接，所述第二开关管的高电位端为所述分流模块的输入端，所述第二开关管的低电位端为所述第二开关管的低电位端。进一步地，所述第二开关管为第二 NMOS管；所述第二 NMOS管的栅极为所述第二开关管的控制端，所述第二 NMOS管的漏极为所述第二开关管的高电位端，所述第二 NMOS管的源极为所述第二开关管的低电位端。进一步地，所述第二开关管为第二 NPN型三极管；所述第二 NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述第二 NPN型三极管的基极为所述第二开关管的高电位端，所述第二 NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。本专利技术还提供了一种DC-DC芯片，所述DC-DC芯片包括如上任一所述的DC-DC转换电路。在本专利技术中，根据DC-DC输出端的反馈电压的变化控制分流模块对充放电电容的充电电流进行分流，从而改变充放电模块的充电电流，进而改变充放电模块的充电时间，进一步使振荡电路的振荡周期发生改变，达到软启动的目的，本专利技术提供的DC-DC转换电路能够对其软启动周期进行调节，而不需要芯片专用引脚且不需要增加充放电电容的容量，设计简单，降低了电路的成本，而且可以抑制电路启动时输出端的浪涌电流，消除电压过冲。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术实施例提供的DC-DC转换电路的模块结构图；图2是本专利技术第一实施例提供的分流模块的模块结构图；图3是本专利技术第一实施例提供的分流模块的电路结构图；图4是本专利技术第一实施例提供的分流模块的另一电路结构图；图5是本专利技术第二实施例提供的分流模块的模块结构图；图6是本专利技术第二实施例提供的分流模块的电路结构图；图7是本专利技术第二实施例提供的分流模块的另一电路结构图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。以下结合具体实施例对本专利技术的具体实现进行详细描述:图1示出了本专利技术实施例提供的DC-DC转换电路的模块结构，为了便于说明，仅列出与本专利技术实施例相关的部分，详述如下:如图1所示，本专利技术实施例提供的DC-DC转换电路包括控制所述DC-DC转换电路软启动周期的振荡电路101，振荡电路101包括与充电电源VCC连接的充放电模块1011，DC-DC转换电路还包括:第一电源端和第二电源端分别与DC-DC转换电路的参考电压输出端Vkef和电压反馈端Vfb连接，输入端与充放电模块1011的充电线路连接，输出端接地，用于根据DC-DC转换电路的反馈电压Vkef的变化对充放电模块1011在充电过程中的电流进行分流以调节振荡器1012的振荡周期的分流模块102。在本专利技术实施例中，分流模块102的输入端与充放电模块1011的充电线路连接，其连接位置并不限定，只要能对充放电模块1011的充电电流进行分流，分流模块102在整个DC-DC转换电路的启动过程中接收到输出端的反馈信号Vfb，分流模块102根据反馈电压Vfb的变化(从小到大)对充放电模块1011的充电电流进行分流，从而影响充放电模块1011的充电时间，由于振荡电路101产本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种DC?DC转换电路，包括控制所述DC?DC转换电路软启动周期的振荡电路，所述振荡电路包括与充电电源连接的充放电模块，其特征在于，所述DC?DC转换电路还包括：第一电源端和第二电源端分别与所述DC?DC转换电路的参考电压输出端和电压反馈端连接，输入端与所述充放电模块的充电线路连接，输出端接地，用于根据所述DC?DC转换电路的反馈电压的变化对所述充放电模块在充电过程中的电流进行分流以调节所述振荡周期的分流模块。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王卫田，
申请(专利权)人：深圳创维RGB电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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