一种交流固态功率开关的控制方法技术

技术编号:4182136 阅读:445 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种交流固态功率开关的控制方法,包括二只背靠背连接的固态开关MOSFET、负载电流极性采样电路、线路电压极性采样电路、D型触发器、逻辑门电路和隔离电源,其特征在于:检测负载回路电压极性或电流极性的变化,D型触发器锁存开/关控制信号,依次开通或关闭二只固态开关,以接通或断开交流负载的供电回路。本发明专利技术的优点在于:通过采用本发明专利技术的交流固态功率开关的控制方法,实现对交流电气负载的接通和断开控制,具有一次触发、自然过零开通和关断、不产生电磁干扰、开关功耗低的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于交流电气负载控制的固态功率开关的控制方法。
技术介绍
在当前的机电控制方法和交流配电系统中,对交流电气负载的开关控制一般 有两种方式 一种是通过传统的机电式电磁继电器、断路器、接触器或机械电气 开关;另一种是使用固态功率电子开关如固态继电器。在交流供电系统中,为了 减少固态功率开关的接通和断开对供电系统和环境的电磁干扰,要求控制方法具 有使固态功率开关在线路电压过零时接通和线路电流过零时断开的功能。目前普 遍使用的固态功率开关为双向可控硅,配以专用的过零检测专用器件。由于该方 法存在着可控硅接通电压降大、自身功耗多、每次过零后都需要一次触发以及因 触发电路的延时原因并不具备真正意义的过零接通等方面的弊病,所以它在中小 功率负载控制的领域有着较大的局限性。
技术实现思路
本专利技术涉及,解决了现有技术中存在的可 控硅接通电压降大、自身功耗多、触发次数多等问题。本专利技术提供一种交流固态 功率开关的控制方法,包括控制信号输入端、二个固态开关MOSFET、负载电流 极性采样电路、负载电压极性采样电路、二个D型触发器、电流采样电阻和隔离 电源,其特征在于,包括如下步骤1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交流固态功率开关的控制方法,包括控制信号输入端、二个固态开关MOSFET、负载电流极性采样电路、负载电压极性采样电路、二个D型触发器、电流采样电阻和隔离电源,其特征在于,包括如下步骤:  1)将二个固态开关MOSFET串联在交流电源进端,使得二只固态开关MOSFET的源极S通过电流采样电阻连在一起;  2)将一个固态开关MOSFET的漏极D与交流电源进端Vin连接,此固态开关MOSFET为负控开关,由负控D型触发器输出的驱动信号Drv-控制其接通或断开;将另一个固态开关MOSFET的漏极D与交流负载相连接,此固态开关MOSFET为正控开关,由正控D型触发器输出的驱动信号Drv+控制其接通或...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:袁旺
申请(专利权)人:上海航空电器有限公司
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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