射频功率单刀双掷开关电路制造技术

本发明专利技术是一种基于砷化镓（ＧａＡｓ）赝配高电子迁移率晶体管（ＰＨＥＭＴ）的射频功率单刀双掷开关（ＳＰＤＴ）电路。开关单片电路采用三栅ＰＨＥＭＴ，串并拓扑，对称结构设计。信号经过２个三栅ＰＨＥＭＴ串联到输出端，输出端同时经过２个三栅ＰＨＥＭＴ串联并通过电容并联到地。开关只需一组互补的控制信号（Ｖ１、Ｖ１－），完成ＳＰＤＴ开关通道切换，应用方便。优点是：该开关单片电路采用三栅ＰＨＥＭＴ，串并拓扑结构，提高了击穿电压，增大了功率容量。开关单片电路通过的插损小，隔离度高，最大可通过２０ｗ，在移动通信系统中应用方便。可通过６英寸０．５μｍ?ＧａＡｓ?ＰＨＥＭＴ标准工艺批量生产，一致性好，成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种基于砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的射频功率 单刀双掷开关(SPDT)电路。属于微波单片集成电路领域。
技术介绍
DC-2000MHZ的微波系统，特别是移动通信系统中，功率放大器PA到天线ANT和低 噪声放大器LNA到天线间通常需要一个功率开关SW来控制收发切换。在目前的微波通讯系 统中，功率开关通常有两种形式，一种是采用分立的硅(si)材料的PIN二极管，采用混合电 路的方式完成，其特点是体积大，工作频带窄，控制电路复杂。另一种是采用砷化镓(GaAs) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片开关，PHEMT开关具有体积小，应用频带宽，使用方 便的特点，但通过的功率相对较小。随着移动通信系统的不断发展，对系统的性能，频率带 宽，集成度，体积，成本的要求越来越高，因此PHEMT开关的应用越来越广泛。目前通信的商 用PHEMT开关产品，频率覆盖范围DC-6GHZ，功率在2GHz处，P-I功率10W。随着一些新的通 讯系统的研制和开发，希望功率开关可以处理大于IOW的功率，目前传统的砷化镓(GaAs) PHEMT开关单片性能上无法实现。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
射频功率单刀双掷开关电路，其特征是射频ＳＰＤＴ功率开关电路采用三栅ＰＨＥＭＴ，串并拓扑，对称结构设计，并联支路通过电容隔直到地，在输入到第１输出的信号通道上，第３号ＰＨＥＭＴ管（ＦＥＴ３）和第四号ＰＨＥＭＴ管（ＦＥＴ４）串联连接，由控制信号（Ｖ１）控制，第五号ＰＨＥＭＴ管（ＦＥＴ５）和第六号ＰＨＥＭＴ管（ＦＥＴ６）通过隔直电容（Ｃ１）并联到地，由控制端信号（Ｖ１↑［－］）控制；在输入到第２输出的信号通道上，第一号ＰＨＥＭＴ管（ＦＥＴ１）和第二号ＰＨＥＭＴ管（ＦＥＴ２）串联连接，由控制端信号（Ｖ１－）控制；第七号ＰＨＥＭＴ管（ＦＥＴ７）和第八号ＰＨＥＭＴ管（ＦＥＴ８）通过隔直电容（Ｃ２）并联到地...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许正荣，陈新宇，徐光，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]