一种超宽带高性能单刀双掷开关芯片制造技术

本实用新型专利技术属于电子通信技术领域，尤其涉及一种超宽带高性能单刀双掷开关芯片。本实用新型专利技术所要解决的技术问题是提供一种用以满足在超宽带应用场景下能保持高性能的超宽带高性能单刀双掷开关芯片，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射频输入IN、第一射频输出OUT1、第二射频输出OUT2、第一逻辑控制电平VC1、第二逻辑控制电平VC2。本实用新型专利技术增加快速清零结构，让开关速度显著减小，提高系统效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子通信
，尤其涉及一种超宽带高性能单刀双掷开关芯片。
技术介绍
根据频率划分，毫米波一般指的是波长介于1mm～10mm的电磁波，随着无线通信的发展，射频开关得到了广泛的应用，如雷达/基站信号收发系统、测试仪表仪器。在此前提下，人们对于射频开关提出了越来越高的要求，如超宽带、低插损声、高隔离度、多通道和小型化等。单刀双掷开关(SPDT，Single Pole Double Throw)是用作射频信号通路选择的器件，应用于雷达、基站、仪表仪器等产品。因此，超宽带、高性能的射频开关，对于提高系统性能起到了关键性的作用。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种用以满足在超宽带应用场景下能保持高性能的超宽带高性能单刀双掷开关芯片。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种超宽带高性能单刀双掷开关芯片，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射频输入IN、第一射频输出OUT1、第二射频输出OUT2、第一逻辑控制电平VC1、第二逻辑控制电平VC2；所述第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4均具有栅极、漏极、源极，所述第一P型MOS管Q1的源极与第一接地GND连接，所述第一P型MOS管Q1的漏极与第二P型MOS管Q2的漏极连接，所述第二P型MOS管Q2的源极与第三P型MOS管Q3的源极连接，所述第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的漏极连接，所述第四P型MOS管Q4的源极与第二接地GND连接；所述第一P型MOS管Q1、第三P型MOS管Q3的栅极分别与第一逻辑控制电平VC1连接，所述第二P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4的栅极分别与第二逻辑控制电平VC2连接；所述射频输入IN连接在第二P型MOS管Q2的源极与第三P型MOS管Q3的源极之间，所述第一射频输出OUT1连接在第一P型MOS管Q1的漏极与第二P型MOS管Q2的漏极之间，所述第二射频输出OUT2连接在第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的漏极之间。技术的有益效果是：本技术增加快速清零结构，让开关速度显著减小，提高系统效率。附图说明图1是本技术的电路示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。如图1所示，本技术的一种超宽带高性能单刀双掷开关芯片，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射频输入IN、第一射频输出OUT1、第二射频输出OUT2、第一逻辑控制电平VC1、第二逻辑控制电平VC2；所述第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4均具有栅极、漏极、源极，所述第一P型MOS管Q1的源极与第一接地GND连接，所述第一P型MOS管Q1的漏极与第二P型MOS管Q2的漏极连接，所述第二P型MOS管Q2的源极与第三P型MOS管Q3的源极连接，所述第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的漏极连接，所述第四P型MOS管Q4的源极与第二接地GND连接；所述第一P型MOS管Q1、第三P型MOS管Q3的栅极分别与第一逻辑控制电平VC1连接，所述第二P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4的栅极分别与第二逻辑控制电平VC2连接；所述射频输入IN连接在第二P型MOS管Q2的源极与第三P型MOS管Q3的源极之间，所述第一射频输出OUT1连接在第一P型MOS管Q1的漏极与第二P型MOS管Q2的漏极之间，所述第二射频输出OUT2连接在第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的漏极之间。本技术采用-5V/0V电平逻辑控制；当第一逻辑控制电平VC1为-5V、第二逻辑控制电平VC2为0V时，第一P型MOS管Q1、第三P型MOS管Q3关闭、第二P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4导通，控制选通通道1，射频信号从射频输入IN进过经导通的第二P型MOS管Q2流向第一射频输出OUT1；当第一逻辑控制电平VC1为0V、第二逻辑控制电平VC2为-5V时，第一P型MOS管Q1、第三P型MOS管Q3导通、第二P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4关闭，控制选通通道2，射频信号从射频输入IN进过经导通的第三P型MOS管Q3流向射频输出OUT2。本技术增加快速清零结构，让开关速度显著减小，提高系统效率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超宽带高性能单刀双掷开关芯片，其特征在于，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射频输入IN、第一射频输出OUT1、第二射频输出OUT2、第一逻辑控制电平VC1、第二逻辑控制电平VC2；所述第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4均具有栅极、漏极、源极，所述第一P型MOS管Q1的源极与第一接地GND连接，所述第一P型MOS管Q1的漏极与第二P型MOS管Q2的漏极连接，所述第二P型MOS管Q2的源极与第三P型MOS管Q3的源极连接，所述第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的漏极连接，所述第四P型MOS管Q4的源极与第二接地GND连接；所述第一P型MOS管Q1、第三P型MOS管Q3的栅极分别与第一逻辑控制电平VC1连接，所述第二P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4的栅极分别与第二逻辑控制电平VC2连接；所述射频输入IN连接在第二P型MOS管Q2的源极与第三P型MOS管Q3的源极之间，所述第一射频输出OUT1连接在第一P型MOS管Q1的漏极与第二P型MOS管Q2的漏极之间，所述第二射频输出OUT2连接在第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的漏极之间。...

【技术特征摘要】
1.一种超宽带高性能单刀双掷开关芯片，其特征在于，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射频输入IN、第一射频输出OUT1、第二射频输出OUT2、第一逻辑控制电平VC1、第二逻辑控制电平VC2；所述第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4均具有栅极、漏极、源极，所述第一P型MOS管Q1的源极与第一接地GND连接，所述第一P型MOS管Q1的漏极与第二P型MOS管Q2的漏极连接，所述第二P型MOS管Q2的源极与第三P型MOS管Q3...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗力伟，王祈钰，
申请(专利权)人：四川益丰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51