小型化超宽带单刀双掷开关制造技术

本实用新型专利技术公开了小型化超宽带单刀双掷开关，包括由电感L2接地形成的第一支路、两条第一电路和电容C3；第一支路与电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接；第一电路包括电容C1、二极管V3、由电感L1和电容C2连接形成的第二支路，由电阻R1与二极管V1并联形成的第三支路和由二极管V2接地形成的第四支路；电容C1、第三支路和二极管V3依次连接；电容C1和第三支路之间连接有一条第二支路；第三支路与二极管V3之间至少并联有一条第四支路。单刀双掷开关通过增加的由电感L1和电容C2接地形成的第二支路及并联的若干由二极管V2接地形成的第四支路来保证单刀双掷开关同时满足小体积和高隔离度的要求。

【技术实现步骤摘要】
小型化超宽带单刀双掷开关
本技术涉及开关
，具体涉及小型化超宽带单刀双掷开关。
技术介绍
目前，国内小型化单刀多掷开关做的相对比较好的厂家能够生产1-1SGHz单刀多掷开关，它为18个倍频程，隔离度为60dB，对于航空、航天、雷达、电子侦察与对抗等
要求单刀双掷开关的体积小且隔离度高，这种型号单刀双掷开关很难达到要求。由于高隔离度需要有较长的电长度来实现，这就与较小的体积相互矛盾。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足，本技术提供的小型化超宽带单刀双掷开关能够在保证小体积的同时满足高隔离度。 为了达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案为:提供一种小型化超宽带单刀双掷开关，其包括由电感L2接地形成的第一支路、两条第一电路和电容C3 ;所述第一支路与电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接； 所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、由电感LI和电容C2连接形成的第二支路，由电阻Rl与二极管Vl并联形成的第三支路和由二极管V2接地形成的第四支路； 所述电容Cl、第三支路和二极管V3依次连接；所述电容Cl和第三支路之间连接有一条第二支路；所述第三支路与二极管V3之间至少并联有一条第四支路；所述第二支路的电感LI和电容C2之间通过导线/微带线连接有一驱动电路。 设计时，优选所述第三支路与二极管V3之间并联有三条第四支路。 设计时，优选所述驱动电路为芯片驱动器。 设计时，进一步优选所述单刀双掷开关的工作频率为0.5 GHz?20GHz。 设计时，再进一步优选所述单刀双掷开关的体积为17.5mmX 13.5mmX 4.8mm。 本技术的有益效果:单刀双掷开关通过增加的由电感LI和电容C2接地形成的第二支路及并联的若干由二极管V2接地形成的第四支路来保证单刀双掷开关同时满足小体积和高隔离度的要求。 【附图说明】 图1为本技术小型化超宽带单刀双掷开关一个实施例的电路图。 【具体实施方式】 参考图1，图1为本技术小型化超宽带单刀双掷开关一个实施例的电路图；如图1所述，本实施例的技术方案为:包括由电感L2接地形成的第一支路、两条第一电路和电容C3 ;所述第一支路与电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接；所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、由电感LI和电容C2连接形成的第二支路，由电阻Rl与二极管Vl并联形成的第三支路和由二极管V2接地形成的第四支路；所述电容Cl、第三支路和二极管V3依次连接；所述电容Cl和第三支路之间连接有一条第二支路；所述第三支路与二极管V3之间至少并联有一条第四支路；所述第二支路的电感LI和电容C2接地之间通过导线/微带线连接有一驱动电路。 本实施例的单刀双掷开关通过增加的由电感LI和电容C2接地形成的第二支路及并联的若干由二极管V2接地形成的第四支路来保证单刀双掷开关同时满足小体积和高隔离度的要求。 LC高通滤波器(即本申请中提到的第二支路)按切比雪夫原型计算，使0.5GHz-20GHz整个频段内阻抗匹配，这样计算出的电感LI和电容C2接地与常规的直接按隔直电容和偏置电路计算的扼流电感小，且效果更好；由于电感LI减小，电感LI线圈匝数也相应降低，避免了电感在高频下产生谐振； 在本技术的一个实施例中，为了拥有更好的隔离度，优选所述第三支路与二极管V3之间并联有三条第四支路。 在本技术的一个实施例中，为配合产品的外形，选用了芯片驱动器来构成驱动电路，选用氧化铍陶瓷做控制电路，利用其散热性好来避免驱动电路发热，此驱动电路尺寸为10*6毫米。在这个有限的尺寸上，实现了电源保护、稳压、电源滤波、输出限流等功能，保证了产品的正常工作。 在本技术的一个实施例中，为了确保单刀双掷开关拥有最好的工作状态，将其工作频率设置为0.5 GHz?20GHz。 在本技术的一个实施例中，为了更好的满足航空、航天、雷达、电子侦察与对抗等
用户的需求，设计时，优选所述单刀双掷开关的体积为17.5mm X 13.5mm X 4.8mm。 综上所述，采用本技术方案生产的单刀双掷开关具有体积小(可以达到17.5mmX 13.5mmX4.8mm)、高隔离度(隔离度大于70dB)和插损小(插损小于2.3dB)等优点。 虽然结合附图对本技术的【具体实施方式】进行了详细地描述，但不应理解为对本专利的保护范围的限定。在权利要求书所描述的范围内，本领域技术人员不经创造性劳动即可做出的各种修改和变形仍属本专利的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小型化超宽带单刀双掷开关，其特征在于：包括由电感L2接地形成的第一支路、两条第一电路和电容C3；所述第一支路与电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接；所述第一电路包括电容C1、二极管V3、由电感L1与电容C2连接形成的第二支路，由电阻R1与二极管V1并联形成的第三支路和由二极管V2接地形成的第四支路；所述电容C1、第三支路和二极管V3依次连接；所述电容C1和第三支路之间连接有一条第二支路；所述第三支路与二极管V3之间至少并联有一条第四支路；所述第二支路的电感L1和电容C2之间通过导线/微带线连接有一驱动电路。

【技术特征摘要】
1.一种小型化超宽带单刀双掷开关，其特征在于:包括由电感L2接地形成的第一支路、两条第一电路和电容C3 ;所述第一支路与电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接； 所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、由电感LI与电容C2连接形成的第二支路，由电阻Rl与二极管Vl并联形成的第三支路和由二极管V2接地形成的第四支路； 所述电容Cl、第三支路和二极管V3依次连接；所述电容Cl和第三支路之间连接有一条第二支路；所述第三支路与二极管V3之间至少并联有一条第四支路；所述第二支路的电感LI和电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：周开斌，毛艳，
申请(专利权)人：成都创新达微波电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51