【技术实现步骤摘要】
高隔离度单刀双掷开关
本技术涉及开关
，具体涉及高隔离度单刀双掷开关。
技术介绍
目前，单刀双掷开关的隔离度要求达到了IlOdB,要达到这个指标是相当困难的，为了完成该产品的生产，在装配产品时选用了串并联形式的基本电路；为了提高隔离度，部分厂家总共并联了 6只PIN管芯，理论上这样就能满足要求，但在实际的生产中，由于二极管芯本身的寄生参量，管芯焊接所用键合金丝的寄生电感，都会使线路产生谐振而导致工作曲线波动较大，从而无法满足技术指标的要求。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足，本技术提供的高隔离度单刀双掷开关解决了线路产生谐振的问题。 为了达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案为:提供一种高隔离度单刀双掷开关，其包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3 ;所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接； 所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、由电感LI和电容C2接地形成的第二支路，由电阻Rl和二极管Vl形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路； 所述电容Cl、第三支路和二极管V3依次连接；所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两级第四支路；所述电容Cl与第三支路之间连接有两级串联在一起的第二支路。 设计时，优选相邻两个第四支路之间的间距等于单刀双掷开关工作频率的四分之一波长。 设计时，进一步优选所述第三支路和二极管V3之间串联有六级第四支路。 设计时，再进一步所述单刀双掷开关的工作频率为5GHz?6 GHz0 本技术的有益效果为:单刀双掷开关通过增加的两...
【技术保护点】
一种高隔离度单刀双掷开关，其特征在于：包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3；所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接； 所述第一电路包括电容C1、二极管V3、由电感L1和电容C2接地形成的第二支路，由电阻R1和二极管V1形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路；所述电容C1、第三支路和二极管V3依次连接；所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两级第四支路；所述电容C1与第三支路之间连接有两级串联在一起的第二支路。
【技术特征摘要】
1.一种高隔离度单刀双掷开关，其特征在于:包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3 ;所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接； 所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、由电感LI和电容C2接地形成的第二支路，由电阻Rl和二极管Vl形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路； 所述电容Cl、第三支路和二极管V3依次连接；所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两...
【专利技术属性】
技术研发人员：周开斌，毛艳，
申请(专利权)人：成都创新达微波电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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