一种吸收式单刀单掷开关制造技术

技术编号:13565495 阅读:58 留言:0更新日期:2016-08-20 05:35
本实用新型专利技术属于微波技术领域,特别涉及一种吸收式单刀单掷开关。本实用新型专利技术包括第一单刀双掷单元、单刀单掷单元、以及第二单刀双掷单元,第一单刀双掷单元的公共端连接输入信号,第一单刀双掷单元的输出端分别与单刀单掷单元和第一电阻的输入端相连,单刀单掷单元的输出端连接第二单刀双掷单元的输入端,第二单刀双掷单元的输出端连接第二电阻的输入端,第二单刀双掷单元的公共端为信号输出端,第一电阻、第二电阻的输出端均接地,因此本实用新型专利技术体积小、集成度高、使用方便,而且在大功率信号下本实用新型专利技术具备高隔离度且信号输入输出端有小的驻波比,保护前后的电路不受影响;在小功率信号下开关快速恢复低损耗直通以满足后面系统的正常工作。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微波
,特别涉及一种吸收式单刀单掷开关
技术介绍
随着电子技术的飞速发展,微波固态功放得到广泛运用,特别是在T/R系统中大功率微波部件正得到越来越广泛的应用。微波开关是有源相控阵雷达必不可少的关键部件,近年来得到了极大的重视并获得了迅速的发展。微波开关的技术难度主要体现在微波电路结构、设计、实现、及散热问题和驱动器电路等方面,尤其是宽带开关难度更大。目前国内个别微波公司在这方面已取得突破,如果能够解决开关功率容量、大功率管芯的微组装工艺、散热问题、快速大电流驱动器的设计,必将提高微波开关的设计能力。随着微波器件小型化和集成化发展趋势的愈演愈烈,传统的设计已无法满足未来微波系统小型化一体化的需求,因此亟需提供一种体积小、集成度高的微波开关。
技术实现思路
本技术为了克服上述现有技术的不足,提供了一种吸收式单刀单掷开关,本技术具有体积小、集成度高、使用方便、可靠性高的特点。为实现上述目的,本技术采用了以下技术措施:一种吸收式单刀单掷开关,包括第一单刀双掷单元、单刀单掷单元、以及第二单刀双掷单元,所述第一单刀双掷单元的公共端连接输入信号,第一单刀双掷单元的输出端分别与单刀单掷单元和第一电阻的输入端相连,所述单刀单掷单元的输出端连接第二单刀双掷单元的输入端,所述第二单刀双掷单元的输出端连接第二电阻的输入端,第二单刀双掷单元的公共端为信号输出端,所述第一电阻、第二电阻的输出端均接地。本技术还可以通过以下技术措施进一步实现。优选的,所述第一单刀双掷单元包括第一电感,所述第一电感的一端连接第一二极管、第四二极管的负极端以及输入信号,所述第一二极管的正极>
端连接第二二极管的负极端,所述第二二极管的正极端连接第三二极管的负极端,所述第三二极管的正极端连接第一电容、第二电感的一端,所述第一电容的另一端连接第一电阻的输入端,所述第二电感的另一端连接第二电容、第三电感的一端,所述第三电感的另一端连接第三电容的一端以及第四电源,所述第二电容、第三电容的另一端接地,所述第四二极管的正极端连接第四电感、第四电容的一端,所述第四电感的另一端连接第五电容、第五电感的一端,所述第五电感的另一端连接第六电容的一端以及第一电源,所述第五电容、第六电容的另一端均接地,所述第四电容的另一端连接单刀单掷单元的输入端。优选的,所述单刀单掷单元包括第六电感,所述第六电感的一端连接第五二极管、第六二极管、第七二极管的正极端、以及第四电容的另一端和第二单刀双掷单元的输入端,所述第五二极管、第六二极管、第七二极管的负极端均接地,所述第六电感的另一端连接第七电感、第七电容的一端,所述第七电感的另一端连接第八电容的一端以及第二电源,所述第七电容、第八电容的另一端均接地。优选的,所述第二单刀双掷单元包括第十电感,所述第十电感的一端连接第八二极管、第九二极管的负极端以及输出信号,所述第九二极管的正极端连接第十二极管的负极端,所述第十二极管的正极端连接第十一二极管的负极端,所述第十一二极管的正极端连接第十二电容、第十一电感的一端,所述第十二电容的另一端连接第二电阻的输入端,所述第十一电感的另一端连接第十三电容、第十二电感的一端,所述第十二电感的另一端连接第十四电容的一端以及第五电源,所述第十三电容、第十四电容的另一端接地,所述第八二极管的正极端连接第八电感、第九电容的一端,所述第八电感的另一端连接第十电容、第九电感的一端,所述第九电感的另一端连接第十一电容的一端以及第三电源,所述第十电容、第十一电容的另一端均接地,所述第九电容的另一端连接单刀单掷单元的输出端。进一步的,所述第一电阻、第二电阻的电阻值均为50欧姆,第一电阻、第二电阻承受功率额定值均为100W。本技术的有益效果在于:1)、本技术包括第一单刀双掷单元、单刀单掷单元、以及第二单刀双掷单元,将以上单元一体化设计,使本技术体积小、集成度高、使用方便,所述第一单刀双掷单元用于选择微波电路的通断,当输入功率很小时,将开关选择到单刀单掷单元;当有大功率输入时,将开关选择到第一电阻,保护后面的电路。所述单刀单掷单元用于提高电路的隔离度,以保护后面的电路免受强信号的影响而烧毁,极大地提高了本技术的可靠性。2)、所述第一单刀双掷单元的输出端与第一电阻的输入端相连,第二单刀双掷单元的输出端连接第二电阻的输入端,第一电阻、第二电阻承受功率额定值均为100W,增加的第一电阻确保在大功率输入的情况下吸收从第一单刀双掷单元通过的大功率,使本技术的输入输出端口保持匹配。因此在大功率信号下本技术具备高隔离度且信号输入输出端有小的驻波比,保护前后的电路不受影响;在小功率信号下开关快速恢复低损耗直通以满足后面系统的正常工作。附图说明图1为本技术的原理图。图中的附图标记含义如下:1—第一单刀双掷单元 2—单刀单掷单元3—第二单刀双掷单元 R1—第一电阻R2—第二电阻L1~L12—第一电感~第十二电感C1~C14—第一电容~第十四电容V1~V11—第一二极管~第十一二极管Vd1~Vd5—第一电源~第五电源具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通
技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。如图1所示,一种吸收式单刀单掷开关包括第一单刀双掷单元1、单刀单掷单元2、以及第二单刀双掷单元3,所述第一单刀双掷单元1的公共端连接输入信号,第一单刀双掷单元1的输出端分别与单刀单掷单元2和第一电阻R1的输入端相连,所述单刀单掷单元2的输出端连接第二单刀双掷单元3的输入端,所述第二单刀双掷单元3的输出端连接第二电阻R2的输入端,第二单刀双掷单元3的公共端为信号输出端,所述第一电阻R1、第二电阻R2的输出端均接地。所述第一单刀双掷单元1包括第一电感L1,所述第一电感L1的一端连接第一二极管V1、第四二极管V4的负极端以及输入信号,所述第一二极管V1的正极端连接第二二极管V2的负极端,所述第二二极管V2的正极端连接第三二极管V3的负极端,所述第三二极管V3的正极端连接第一电容C1、第二电感L2的一端,所述第一电容C1的另一端连接第一电阻R1的输入端,所述第二电感L2的另一端连接第二电容C2、第三电感L3的一端,所述第三电感L3的另一端连接第三电容C3的一端以及第四电源Vd4,所述第二电容C2、第三电容C3的另一端接地,所述第四二极管V4的正极端连接第四电感L4、第四电容C4的一端,所述第四电感L4的另一端连接第五电容C5、第五电感L5的一端,所述第五电感L5的另一端连接第六电容C6的一端以及第一电源Vd1,所述第五电容C5、第六电容C6的另一端均接地,所述第四电容C4的另一端连接单刀单掷单元2的输入端。所述单刀单掷单元2包括第六电感L6,所述第六电感L6的一端连接第五二极管V5、第六二极管V6、第七二极管V7的正极端、以及第四电容C4的另一端和第二单刀双掷单元3的输入端,所述第五二极管V5、第六二极管V6、第七二极管V7的负极端均接地,所述第六电感L6的另一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种吸收式单刀单掷开关,其特征在于:包括第一单刀双掷单元(1)、单刀单掷单元(2)、以及第二单刀双掷单元(3),所述第一单刀双掷单元(1)的公共端连接输入信号,第一单刀双掷单元(1)的输出端分别与单刀单掷单元(2)和第一电阻(R1)的输入端相连,所述单刀单掷单元(2)的输出端连接第二单刀双掷单元(3)的输入端,所述第二单刀双掷单元(3)的输出端连接第二电阻(R2)的输入端,第二单刀双掷单元(3)的公共端为信号输出端,所述第一电阻(R1)、第二电阻(R2)的输出端均接地。

【技术特征摘要】
1.一种吸收式单刀单掷开关,其特征在于:包括第一单刀双掷单元(1)、单刀单掷单元(2)、以及第二单刀双掷单元(3),所述第一单刀双掷单元(1)的公共端连接输入信号,第一单刀双掷单元(1)的输出端分别与单刀单掷单元(2)和第一电阻(R1)的输入端相连,所述单刀单掷单元(2)的输出端连接第二单刀双掷单元(3)的输入端,所述第二单刀双掷单元(3)的输出端连接第二电阻(R2)的输入端,第二单刀双掷单元(3)的公共端为信号输出端,所述第一电阻(R1)、第二电阻(R2)的输出端均接地。2.如权利要求1所述的一种吸收式单刀单掷开关,其特征在于:所述第一单刀双掷单元(1)包括第一电感(L1),所述第一电感(L1)的一端连接第一二极管(V1)、第四二极管(V4)的负极端以及输入信号,所述第一二极管(V1)的正极端连接第二二极管(V2)的负极端,所述第二二极管(V2)的正极端连接第三二极管(V3)的负极端,所述第三二极管(V3)的正极端连接第一电容(C1)、第二电感(L2)的一端,所述第一电容(C1)的另一端连接第一电阻(R1)的输入端,所述第二电感(L2)的另一端连接第二电容(C2)、第三电感(L3)的一端,所述第三电感(L3)的另一端连接第三电容(C3)的一端以及第四电源(Vd4),所述第二电容(C2)、第三电容(C3)的另一端接地,所述第四二极管(V4)的正极端连接第四电感(L4)、第四电容(C4)的一端,所述第四电感(L4)的另一端连接第五电容(C5)、第五电感(L5)的一端,所述第五电感(L5)的另一端连接第六电容(C6)的一端以及第一电源(Vd1),所述第五电容(C5)、第六电容(C6)的另一端均接地,所述第四电容(C4)的另一端连接单刀单掷单元(2)的输入端。3.如权利要求2所述的一种吸收式单刀单掷开关,其特征在于:所述单刀单掷单元(2)包括第六电感(L6),所述第六电感(L6)的一端连接第五二极管(V5)、第六二极管(V6...

【专利技术属性】
技术研发人员:任凤程伟马正纯李庆
申请(专利权)人:安徽四创电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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