单刀单掷射频开关及其构成的单刀双掷射频开关和单刀多掷射频开关制造技术

本发明专利技术公开一种单刀单掷射频开关，包括半导体开关器件其第一端通过第一电容接该单刀单掷射频开关第一端口并通过第一电阻接第一信号输入端，其第二端通过第二电阻接第二信号输入端，其第三端通过第四电阻接地，并通过串联的第一二极管、第二二极管和第五电阻接地，第六电阻一端接于第一二极管和第二二极管之间另一端接电源电压，其第四端通过第二电容接该单刀单掷射频开关第二端口并通过第三电阻接信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成电路两端。本发明专利技术还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明专利技术的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种单刀单掷射频开关。本专利技术还涉及由所述单刀单掷射频开关构成的一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。
技术介绍
随着现代通信技术的深入发展通信设备正在向小型化和低能耗发展，这就要求通信设备内的每个组件都采用小型化设计，尽量控制器其尺寸、重量和厚度，同时也要尽量减少组件数量及组件功率消耗。射频信号输入输出模块主要可实现对接收射频信号的低噪声放大和发射射频信号的功率推动等功能，是射频通信设备中不可或缺的组成部分，其中，单刀单掷开关和单刀多掷开关用以实现射频信号的信号流向控制等作用。在目前的微波通讯系统中，功率开关通常采用几种形式:(I)采用分立的硅材料的PIN 二极管，采用混合电路的方式实现，其缺点是体积大，工作频率窄且控制电路复杂。(2)采用砷化镓(GaAs)赝配高电子迀移率晶体管(pHEMT)单片开关，高电子迀移率晶体管开关具有体积小、应用频带宽等特点，但是，不易于和其它的射频电路做单芯片整合。(3)采用MOS器件的开关，有价格优势，适于和其它部分通信电路做片上集成，缺点是耐压和耐大功率的能力有限。除此之外，现有的功率开关还急本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单刀单掷射频开关，其特征在于，包括：半导体开关器件(T)，其第一端通过第一电容(C1)连接该单刀单掷射频开关第一端口(P1)并通过第一电阻(R1)连接第一状态控制信号输入端(S1)，其第二端通过第二电阻(R2)连接第二状态控制信号输入端(S2)，其第三端通过第四电阻(R4)接地，并通过串联的第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第五电阻(R5)接地，其第四端通过第二电容(C2)连接该单刀单掷射频开关第二端口(P2)并通过第三电阻(R3)连接第三状态控制信号输入端(S3)；其中，第六电阻(R6)一端连接于第一二极管(D1)和第二二极管(D2)之间，第六电阻(R6)另一端接电源电压(VDD)...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵奂，
申请(专利权)人：康希通信科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31