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本发明是一种基于砷化镓（ＧａＡｓ）赝配高电子迁移率晶体管（ＰＨＥＭＴ）的射频功率单刀双掷开关（ＳＰＤＴ）电路。开关单片电路采用三栅ＰＨＥＭＴ，串并拓扑，对称结构设计。信号经过２个三栅ＰＨＥＭＴ串联到输出端，输出端同时经过２个三栅ＰＨＥＭＴ串...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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