一种三维集成电路组件制造技术

技术编号:11021470 阅读:115 留言:0更新日期:2015-02-11 11:07
本实用新型专利技术涉及集成电路结构技术领域,尤其涉及一种三维集成电路组件,包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层,所述金属层上成型有集成线路,所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀成型于所述塑胶层上,与现有技术相比,本实用新型专利技术的结构简单,塑胶层、金属层的原料来源广泛,制备工艺成熟,制作的三维集成电路组件性能优异,无需使用昂贵的进口设备,且成品率大大提高,降低了生产成本,可大规模工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及集成电路结构
,尤其涉及一种三维集成电路组件,包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层,所述金属层上成型有集成线路,所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀成型于所述塑胶层上,与现有技术相比,本技术的结构简单,塑胶层、金属层的原料来源广泛,制备工艺成熟,制作的三维集成电路组件性能优异,无需使用昂贵的进口设备,且成品率大大提高,降低了生产成本,可大规模工业化生产。【专利说明】 一种三维集成电路组件
本技术涉及集成电路结构
,尤其涉及一种三维集成电路组件。
技术介绍
电子电器和机电产品制造工艺和相应的材料技术进步的方向是柔性、环保、环境友好、节能。德国开发出在塑胶表面形成精密和紧密的导电图案的技术,电子元器件可以直接焊接在塑胶外壳或者内壳上,形成无印刷电路板的电子、电器和机电一体化产品,称之为立体电路。 与传统的二维集成电路相比,三维集成电路的结构具有明显的优越性,且应用也更加广泛,然而现有的三维集成电路的结构较为复杂,原料内含有金属种子,来源少,成本高,只有使用昂贵的进口设备才能生产且成品率低,因此应用受到限制。 因此,急需提供一种三维集成电路组件,以解决现有技术的不足。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种三维集成电路组件,结构简单,原料来源广泛,成品率高,成本低。 为了实现上述目的,本技术采用如下的技术方案: —种三维集成电路组件,包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层,所述金属层上成型有集成线路,所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀成型于所述塑胶层上。 具体地,所述金属层为铜膜层。 具体地,所述塑胶层为热塑塑胶层。 具体地,所述集成线路通过激光机切割而成型于所述金属层上。 具体地,所述抗氧化层为镍抗氧化层。 具体地,所述抗氧化层通过化学镀成型于所述金属层上。 具体地,所述塑胶层上开设有一个凹槽,所述金属层设于所述凹槽内,所述塑胶层的两侧还开设有安装孔。 具体地,所述金属层的厚度介于l-20um之间。 具体地,所述抗氧化层的厚度介于l-20um之间。 本技术公开了一种三维集成电路组件,包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层,所述金属层上成型有集成线路,所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀设于所述塑胶层上,与现有技术相比,本技术的三维集成电路组件结构简单,塑胶层、金属层的原料来源广泛,制备工艺成熟,制作的三维集成电路组件性能优异,无需使用昂贵的进口设备,且成品率大大提高,降低了生产成本,可大规模工业化生产。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的三维集成电路组件的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本技术作进一步的说明,这是本技术的较佳实施例。 实施例1 一种三维集成电路组件,包括塑胶层1、金属层2及设于所述金属层上的抗氧化层3,所述金属层2上成型有集成线路,所述金属层2通过真空溅射、打印或者化学镀成型于所述塑胶层I上。 具体地,所述金属层2为铜膜层,所述金属层的厚度介于l_20um之间,所述塑胶层I为热塑塑胶层。 所述真空溅射的方法是以塑胶层I为载体,真空镀膜机的高能离子束在高真空度下轰击铜靶,在塑胶层I上形成1-20 μ m厚的铜膜层; 所述打印的方法是以塑胶层I为载体,纳米铜导电墨水为原料,通过打印机在塑胶层I上打印上一层厚度为1-20 μ m的铜膜层; 所述化学镀的方法是以塑胶层I为载体,在PH 11-13,温度40_70°C下,超声机的功率为50-250W、频率为20-80KZ,镍镀液包含硫酸镍、氯化镍及硼酸;镀铜液包含乙醛酸、硫酸铜、乙二胺四乙酸、联吡啶及聚乙二醇和苯基聚氧乙烯醚磷酸钠,将塑胶层I置于上述铜镀液中反应5-20min,即可在塑胶层I上镀一层厚度为1_20 μ m抗氧化镍层或者铜膜层。 具体地,所述集成线路通过激光机切割而成型于所述金属层2上,激光机上装载设计好的CAD文档,激光机选择性扫描铜膜层,将铜膜层上除设计好的集成线路4的其它铜膜层切割掉,保留剩下的铜膜层为集成线路;激光机选用近红外或者紫外激光机,激光机的电磁射线的波长为248nm、308nm、355nm、532nm、1064nmnm,所述激光机的功率400W内。 具体地,所述抗氧化层3为镍抗氧化层。 具体地,所述抗氧化层3通过化学镀成型于所述金属层2上。 具体地,所述塑胶层I上开设有一个凹槽11,所述金属层2设于所述凹槽11内,所述塑胶层I的两侧还开设有安装孔12。 具体地,所述金属层2的厚度介于l-20um之间。 具体地,所述抗氧化层3的厚度介于l-20um之间。 本技术公开了一种三维集成电路组件,包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层,所述金属层上成型有集成线路,所述抗氧化层上还设有增厚金属层,所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀设于所述塑胶层上,与现有技术相比,本技术的三维集成电路组件结构简单,塑胶层、金属层原料来源广泛,制备工艺成熟,制作的三维集成电路组件性能优异,无需使用昂贵的进口设备,且成品率大大提高,降低了生产成本,可大规模工业化生产。 将上述结构的三维集成电路板组件进行相关的性能测试,结果如下:线路剥离强度> 3.0N/mm2 ;在380°C测试耐热性,每次10s,测试三次,不起泡不分层;耐浸焊性300°C,> 60s ;阻燃性符合GB/T13557-92标准。 最后应当说明的是以上实施例仅用以说明本技术的技术方案,而非对本技术保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本技术作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本技术技术方案的实质和范围。【权利要求】1.一种三维集成电路组件,其特征在于:包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层,所述金属层上成型有集成线路,所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀成型于所述塑胶层上。2.根据权利要求1所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述金属层为铜膜层。3.根据权利要求1所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述塑胶层为热塑塑胶层。4.根据权利要求1所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述集成线路通过激光机切割而成型于所述金属层上。5.根据权利要求1所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述抗氧化层为镍抗氧化层。6.根据权利要求5所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述抗氧化层通过化学镀成型于所述金属层上。7.根据权利要求1所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述塑胶层上开设有一个凹槽,所述金属层设于所述凹槽内,所述塑胶层的两侧还开设有安装孔。8.根据权利要求1或2所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述金属层的厚度介于l_20um之间。9.根据权利要求1或5-6任一项所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述抗氧化层的厚度介于l-20um之间。【文档编号】H01L23/48GK204155924SQ201420488847【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年8月27日 优先权日:2014年8月27日 【专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维集成电路组件,其特征在于:包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层,所述金属层上成型有集成线路,所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀成型于所述塑胶层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:严文华
申请(专利权)人:广东佳禾声学科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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