【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种抗串扰编码方法，特别是涉及一种三维集成电路中TSV信号传输 的抗串扰编码方法。
技术介绍
从上世纪70年代开始，集成电路产业按照摩尔定律飞速发展，在成本不变的情况 下，电路的集成度每18个月增加一倍。而近年来，这种发展趋势有所放缓，主要原因是晶体 管的尺寸已经接近物理极限，很难再进一步缩小。要进一步提升芯片性能，集成更多的晶体 管，就必须增加芯片尺寸。而芯片尺寸的增加使得全局互联距离增长，从而引发了更为严峻 的互联问题。三维集成电路被认为是解决这一问题的发展方向。硅通孔（TSV)技术是三维 集成电路中的关键技术，该技术在堆叠的芯片之间制造垂直的通孔，实现更短的芯片间互 联。TSV技术可以完成尚密度的芯片堆置，同时大幅提升芯片的性能和速度。 然而，紧密排列的TSV会产生的信号串扰问题，严重影响信号的完整度，制约了芯 片间信号传输的速度。因此，实有必要提出一种技术手段，以有效降低串扰的影响。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的不足，本专利技术之目的在于提供一种面向三维集成电路 中TSV的抗串扰编码方法，以降低串扰对信号完整性的影响...
【技术保护点】
一种面向三维集成电路中TSV的抗串扰编码方法，包括如下步骤：步骤一，计算当前周期信号跳转的情况；步骤二，计算阵列中每个位置的串扰电压大小；步骤三，计算阵列中每个位置的信号完整度情况；步骤四，把完整性较差的信号取反。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王琴，龙先杰，蒋剑飞，谢憬，毛志刚，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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