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一种CMOS开关芯片电路制造技术
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文档序号:4994427
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本实用新型公开了一种CMOS开关芯片电路,包括NMOS管和PMOS管,其特征在于NMOS管的衬底接地,其源极通过第一电阻接输出端,漏极通过第二电阻接输入端,第一PMOS管的源极接输入端,漏极接输出端,第一PMOS管的衬底接衬底偏置电路,该衬...
该专利属于上海益侃微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海益侃微电子有限公司授权不得商用。
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