用于非易失性存储器的引导部署制造技术

一种存储器控制模块包括格式模块，所述格式模块与包括Ｂ个存储器块的存储器阵列通信，每个存储器块包括Ｐ个物理页和Ｑ个逻辑页。格式模块在Ｂ个存储器块中的每一个中选择Ｘ个预定位置以写入引导数据和读回引导信号。Ｂ、Ｐ、Ｑ和Ｘ是大于或等于１的整数。存储器控制模块还包括信号处理模块，所述信号处理模块将所写入的引导数据与读回的引导信号相比较，并基于比较结果确定所写入的引导数据和所读回的引导信号之间的差异。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及存储器，更具体而言涉及非易失性存储器。
技术介绍
这里提供的
技术介绍
描述仅用于一般地呈现本公开的上下文。在该背 景技术部分中所描述的当前署名的专利技术人的工作以及不能以其他方式被当 作提交时的现有技术的这些描述中的一些方面不能明示或暗示地看作是本 公开的现有技术。现在参考图1、 2A和2B，非易失性半导体存储器IO可包括闪存、静 态随机访问存储器(SRAM)、氮化物只读存储器(NROM)、相变存储 器、磁RAM、多态存储器等。非易失性半导体存储器10可包括一个或多 个阵列16。阵列16可以布置为B个存储器块18-1、 18-2、...和18-B (总 地称为块18)。在图2A中，每个块18包括P个页20-1、 20-2、...和20-P (总地称为 页20)。在图2B中，每个页20可包括与数据部分24相关联的多个存储 器单元，并且可包括与开销数据部分26相关联的其他存储器单元，开销 数据部分26例如是纠错码(ECC)数据或其他(0)开销数据。非易失性半导体存储器10 —般与主机设备的存储器控制模块通信。 通常，控制模块利用硬连线块大小来寻址存储器。块中的页也具有硬连线 物理页大小，并且因此可以称为物理页。数据和开销部分24和26中的存储器单元的数目分别也可以是硬连线的。仅作为示例，NAND闪存阵列对于总共2吉字节(GB)的存储器可 包括16384个块。每个块可包括64页中的128千字节(KB)。每个页可 包括2112个字节。在2112个字节中，2048个字节可以与数据部分相关 联，而64个字节可以与开销部分相关联。每个存储器单元可以存储一个 比特。为了擦除存储在阵列中的数据，存储器控制模块一般需要擦除整块 和/或整页。在图2C中，存储器块18包括物理页50-1、 50-2、...和50-P (总地称 为页50)。每个页50包括用于数据部分的Y个存储器单元(存储器单元 46-1、 46-2、...和46-Y)和用于开销部分的Z个存储器单元(存储器单元 46-(Y+l)、 46-(Y+2)、...和46-(Y+Z))，其中Y和Z对于特定的存储器控 制模块来说是固定值。在对第一写数据块的第一写操作期间，存储器控制 模块将数据写到页50-1和50-2以及页50-3的一部分。在对第二写数据块 的第二写操作期间，数据被写到页50-4和50-5以及页50-6的一部分。页 50-3和50-6中的剩余存储器单元不被使用。现在参考图2D，图示了包括物理页和逻辑页两者的另一存储器块 80。存储器控制模块(未示出)可以将物理页50-1至50-6格式化为表现 为逻辑页51-1至51-3以用于读/写操作。换句话说，数据根据逻辑页而不 是根据物理页被写到存储器块。
技术实现思路
一种存储器控制模块包括格式模块，所述格式模块与包括B个存储器 块的存储器阵列通信，每个存储器块包括P个物理页和Q个逻辑页。格式 模块在B个存储器块中的每一个中选择X个预定位置以写入引导数据 (pilot data)和读回引导信号。B、 P、 Q和X是大于或等于1的整数。存 储器控制模块还包括信号处理模块，所述信号处理模块将所写入的引导数 据与读回的引导信号相比较，并基于比较结果确定所写入的引导数据和所 读回的引导信号之间的差异。在其他特征中，引导数据在存储器阵列的读、写和擦除操作期间被嵌入到用户数据中。格式模块选择性地设置Q个逻辑页中的每一个的开头和 结尾之一。格式模块选择性地设置P个物理页中的每一个的开头和结尾之 一。存储器控制模块还包括写模块和读模块中的至少一个，所述写模块选 择性地将包括引导数据的数据写到存储器阵列，读模块选择性地从存储器 阵列读回数据。在其他特征中，信号处理模块执行以下操作中的至少一种在后续读/ 写操作中忽略差异，以及在后续读/写操作中不对发生差异的存储器阵列中 的位置进行写/读操作。所述差异至少部分地是由于对存储器阵列的物理扰 动和存储器阵列内的缺陷之一引起的。在其他特征中，存储器控制模块包括设置X个预定位置中的M个的引导位置模块。Q个逻辑页中的每一个包括开头和结尾之一。M个预定位 置对于Q个逻辑页中的每一个来说相对于开头和结尾是相同的。M是大于 或等于1的整数。引导位置模块将M个预定位置中的至少一个设置在Q 个逻辑页中的每一个内的开头、结尾和某一位置。所述位置包括Q个逻辑 页中的每一个的中间。引导位置模块在Q个逻辑页中的每一个内按预定模 式设置M个预定位置。引导位置模块将M个预定位置中的至少一个设置 在开头，并且还将M个预定位置中的至少另一个设置在紧邻结尾。在其他特征中，存储器控制模块包括设置X个预定位置中的M个的 引导位置模块。P个物理页中的每一个包括开头和结尾之一。M个预定位 置对于P个物理页中的每一个来说相对于开头和结尾是相同的。M是大于 或等于1的整数。引导位置模块将M个预定位置中的至少一个设置在P个 物理页中的每一个内的开头、结尾和某一位置。所述位置包括P个物理页 中的每一个的中间。引导位置模块在P个物理页中的每一个内按预定模式 设置M个预定位置。引导位置模块将M个预定位置中的至少一个设置在 开头，并且还将M个预定位置中的至少另一个设置在紧邻结尾。在其他特征中， 一种存储器系统包括存储器控制模块，并且还包括存 储器阵列。存储器阵列包括闪存、静态随机访问存储器(SRAM)、氮化 物只读存储器(NROM)、相变存储器、磁RAM和多态存储器中的至少 一种。格式模块生成存储器阵列的存储器映射。格式模块执行以下操作中的至少一种将存储器映射调节为存储器阵列中发生差异的指示部分中的 至少一个，以及不再继续使用存储器阵列中发生差异的部分。在其他特征中， 一种用于操作存储器控制模块的方法包括在存储器阵 列的B个存储器块中的每一个中选择X个预定位置来写入引导数据和读回引导信号。B个存储器块中的每一个包括P个物理页和Q个逻辑页。B、 P、 Q和X是大于或等于1的整数。该方法还包括将所写入的引导数据与 读回的引导信号相比较。该方法还包括基于比较结果确定所写入的引导数 据和所读回的引导信号之间的差异。在其他特征中，该方法包括读、写和擦除嵌入在用户数据中的引导数 据。该方法还包括选择性地设置Q个逻辑页中的每一个的开头和结尾之 一。该方法还包括选择性地设置P个物理页中的每一个的开头和结尾之 一。该方法还包括选择性地将包括引导数据的数据写到存储器阵列和选择 性地从存储器阵列读回数据中的至少一种。该方法还包括以下操作中的至少一种在后续读/写操作中忽略差异，以及在后续读/写操作中不对发生差异的存储器阵列中的位置进行写/读操作。所述差异至少部分地是由于对 存储器阵列的物理扰动和存储器阵列内的缺陷之一引起的。在其他特征中，该方法包括设置X个预定位置中的M个。Q个逻辑 页中的每一个包括开头和结尾之一。M个预定位置对于Q个逻辑页中的每 一个来说相对于开头和结尾是相同的，其中M是大于或等于1的整数。该 方法还包括将M个预定位置中的至少一个设置在Q个逻辑页中的每一个 内的开头、结尾和某一位置。所述位置包括Q个逻辑页中的每一个的中 间。在其他特征中，该方法包括在Q个逻辑页中的每一个内按预定模式设 置M个预定位置。该方法还包括将M个预定位置中的至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器控制模块，包括：　格式模块，所述格式模块与包括Ｂ个存储器块的存储器阵列通信，每个存储器块包括Ｐ个物理页和Ｑ个逻辑页，并且所述格式模块在所述Ｂ个存储器块中的每一个中选择Ｘ个预定位置以写入引导数据并读回引导信号，其中Ｂ、Ｐ、Ｑ和 Ｘ是大于或等于１的整数；以及　信号处理模块，所述信号处理模块将所写入的引导数据与所读回的引导信号相比较，并基于所述比较结果确定所写入的引导数据和所读回的引导信号之间的差异。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨雪石，吴子宁，潘塔斯苏塔迪嘉，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：BB[]