【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于制备具有大于95%对映体过量的光学纯度的式Ⅱ化合物的方法: *** Ⅱ 其中Z为不参与偶合和去保护反应但充当还原/内酯化反应中的脱离基的任意基团;R↓[2]为单键或C↓[1-4]-亚烷基或-CH↓[2]O-;R↓[3]为C↓[1-7]-烷基或芳基或芳烷基,其每一者未经取代或经C↓[1-4]烷基、卤素或三卤甲基取代;X↓[1]和X↓[2]独立为氢或分别为P↓[1]和P↓[2],其中P↓[1]和P↓[2]为羟基的相同或不同保护基;且*为单键或双键,所述方法包含将具有大于90%对映体过量的光学纯度的式Ⅳ化合物: *** Ⅳ 其中R↓[1]和P↓[1]如以上定义,与衍生自式Ⅴ-1、式Ⅴ-2或式Ⅴ-3化合物的铜酸盐(其每一者具有大于90%对映体过量的光学纯度)反应, *** 其中Y为卤素;R↓[6]为低碳烷基;R↓[2]、R↓[3]、*和P↓[2]如以上定义;和视情况执行所得化合物的去保护反应以将P↓[1]或P↓[2]或P↓[1]与P↓[2]两者转化为H。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏士益,叶有芝,
申请(专利权)人:佳和桂科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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