电路板细线路的制造方法技术

一种电路板细线路的制造方法，包括下列步骤：提供一基板，该基板的顶面具有一第一导电层，该基板的底面具有一第二导电层；图形化该第一导电层使具有至少一开口；在所述至少一第一导电层开口处进行激光钻孔并穿透该基板，进而形成至少一盲孔；去除该图形化的第一导电层，并图形化该第二导电层以形成至少一导电垫于该盲孔下方；以化铜工艺形成一化铜层，该化铜层覆盖于该图形化基板的表面及该盲孔；在该化铜层的表面形成图形化光致抗蚀剂层；进行电镀以形成一图形化的第三导电层，用以形成多个细线路；以及去除该基板上的光致抗蚀剂层。本发明专利技术的制造方法可制作细线路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路板的制造方法，尤其涉及一种。
技术介绍
信息电子科技随着通信产业的快速发展，在90年代以后不断的朝向消费性电子 产品(Computer、 Comm皿ication、 Consumer Electronics, 3C)的整合目标前进，个人化的 电子产品不断的推陈出新，强调可携性及便利性的多媒体高品质的信息通信工具，因此带 动了半导体产业，尤其是半导体封装类型的改变，这些市场需求直接促成了信息电子的数 字化，使半导体封装自然走向多脚化(Multipin)发展与研发。上述演进对于印刷电路板 (Printing CircuitBoard， PCB)本身来说，所代表的意义就是线路密度的快速提升与板 面空间的急速压縮，因此，高密度化设计的印刷电路板(High Density Interconnection, HDI)工艺技术顺应而生，其中高密度化的需求有下列四点1.压縮电路板线路尺寸；2.縮 小孔径与制作盲孔(Bland Via)、或埋孔(Buried Via) ;3.縮小线路公差；4.减少介电层的 厚度。 如，请参照图1A到图IF所示出公知的工艺剖面示意图， 首先提供一基板IOO，该基板100的顶面形成一第一导电层IIO，该基板100的底面形成一 第二导电层120，接着以曝光显影(Lithography)于该第一导电层110而形成一图形化的第 一导电层llOa，该图形化的第一导电层110a具有一第一导电层开口 112，在该第一导电层 开口 112处以激光钻孔(Laser Drill)于该基板100而形成一盲孔102，接着在该盲孔102 内去除胶渣(Desmear)，然后形成一化铜层130，该化铜层130覆盖于该盲孔102、该图形化 的第一导电层110a、该第二导电层120、及该基板IOO，接着在该化铜层130表面上曝光显 影以形成多个光致抗蚀剂单体140，所述多个光致抗蚀剂单体140用以限制电镀区域，接着 以半加成方法(Semi Additive Process, SAP)的电镀形成一导电盲孔152，及多个细线路 154。 另，上述公知可利用减成方法(SustractiveProcess， SP)，用以形成二阶的盲孔，得以制作多个细线路。 上述公知使用半加成方法、或减成方法形成二阶的盲 孔，制作所述多个细线路，无法达到电路板细线路的要求。 因此，本专利技术人有感上述缺点的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经验，悉 心观察且研究，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善上述缺点的本专利技术。
技术实现思路
因此本专利技术的目的，在于提供一种，达到制作细线路的 目的。 根据本专利技术的上述目的，本专利技术提出一种，包括下列步 骤提供一基板，该基板的顶面具有一第一导电层，该基板的底面具有一第二导电层；图形3化该第一导电层使具有至少一开口 ；在所述至少一第一导电层开口处进行激光钻孔并穿透该基板，进而形成至少一盲孔；去除该图形化的第一导电层，并图形化该第二导电层以形成至少一导电垫于该盲孔下方；以化铜工艺形成一化铜层，该化铜层覆盖于该图形化基板的表面、及该盲孔；在该化铜层的表面形成图形化光致抗蚀剂层；进行电镀以形成一图形化的第三导电层，用以形成多个细线路；以及去除该该基板上的光致抗蚀剂层。 本专利技术提出另一种，包括下列步骤提供一基板，该基板的顶面具有一第一导电层，该基板的底面具有一第二导电层；图形化该第一导电层使具有至少一开口 ；在所述至少一第一导电层开口处进行激光钻孔并穿透该基板，进而形成至少一盲孔；去除该图形化的第一导电层，并图形化该第二导电层以形成至少一导电垫于该盲孔下方；以化铜工艺形成一化铜层，该化铜层覆盖于该图形化的基板、及该盲孔；形成一光致抗蚀剂层于该基板表面，其中将该基板顶面的光致抗蚀剂层图形化；进行电镀以形成一图形化的第三导电层于该基板顶面；以及去除该该基板上的光致抗蚀剂层。 本专利技术具有以下有益效果( — )利用图形化该第三导电层用以形成该图形化的第三导电层，该图形化的第 三导电层可制作导电盲孔、细线路、及导电垫。 (二)以曝光显影工艺于该化铜层，形成该光致抗蚀剂层至少保护该图形化的基 板底面的化铜层，可制作细线路、及盲孔。 为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，以下
技术实现思路
中，提供许多不同的实施例 或范例，可参照下列描述并配合附图，用来了解在不同实施例中的不同特征的应用。附图说明 图1A到图1F为公知的工艺剖面示意图。 图2A到图2H为本专利技术的制程剖面示意图。 图3A到图3H为本专利技术另一的工艺剖面示意图。其中，附图标记说明如下:100、300、500基板100a、300a、500a图形化的基板102、302、502盲孔110、310、510第一导电层110a、310a、510a图形化的第一导电层112、312、512第一导电层开口120、320、520第二导电层130、330、530化铜层140、340、542光致抗蚀剂单体152、352、552导电盲孔154、354、554细线路322、522、356导电垫540光致抗蚀剂层350a、550a图形化的第三导电层具体实施例方式第一实施例本专利技术实施例提供一种包括下列步骤 请参照图2A，提供一基板300，基板300的顶面具有一第一导电层310，基板300的底面具有一第二导电层320。 形成第 一 导电层310、第二导电层320的步骤是以溅镀(Sputtering)、蒸镀 (Evaporation)、电镀(Electroplating)及化学沉积(CVD)之一所执行。其中，第一导电层 310、第二导电层320包括锡(Sn)、铜(Cu)、铬(Cr)、钯(Pd)、镍(Ni)与其合金之一。在本 实施例中，形成第一导电层310、第二导电层320的步骤以电镀所执行，第一导电层310、第 二导电层320为铜。 请参照图2B，图形化第一导电层310用以形成一图形化的第一导电层310a，图形 化的第一导电层310a具有一第一导电层开口 312。 在本实施例中，图形化第一导电层310的步骤依序用以曝光显影(Lithogr即hy)、 及蚀刻(Etching)、去干膜所执行，进而形成第一导电层开孔312。 请参照图2C，在第一导电层开口 312处进行激光钻孔并穿透基板300，进而形成一 盲孔302、及一图形化的基板300a。 在本实施例中，激光用以二氧化碳激光(C02 Laser)在第一导电层开口 312处钻 孔并穿透基板300，根据第一导电层开口 312、及基板300厚度的大小，可调整二氧化碳激光 的参数，得到适当大小的盲孔302。 请参照图2D，去除图形化的第一导电层310a，并图形化第二导电层320用以形成 一导电垫322。 在本实施例中，在去除图形化的第一导电层310a的步骤以前，进行除胶渣(Smear Removal,又称为Desmear)的操作，利用化学蚀刻方式将上述步骤中所使用激光钻孔后残 余的胶渣(如环氧树脂)清除干净，接着，去除图形化的第一导电层310a的步骤以蚀刻所 执行，之后，图形化第二导电层320的步骤以曝光显影技术来执行，而形成导电垫322于盲 孔302下方。 请参照图2E，以化铜工艺用以形成一化铜层330，该化铜层330覆盖图形化的基板 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路板细线路的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一基板，该基板的顶面具有一第一导电层，该基板的底面具有一第二导电层；图形化该第一导电层使具有至少一开口；在所述至少一第一导电层该开口处进行激光钻孔并穿透该基板，进而形成至少一盲孔；去除该图形化的第一导电层，并图形化该第二导电层以形成至少一导电垫于该盲孔下方；以化铜工艺形成一化铜层，该化铜层覆盖该图形化基板、该导电垫的表面及该盲孔；在该化铜层的表面形成一图形化光致抗蚀剂层；进行电镀以形成一图形化的第三导电层，用以形成多个细线路；以及去除该基板上的该光致抗蚀剂层。

【技术特征摘要】
一种电路板细线路的制造方法，其特征在于，包括下列步骤提供一基板，该基板的顶面具有一第一导电层，该基板的底面具有一第二导电层；图形化该第一导电层使具有至少一开口；在所述至少一第一导电层该开口处进行激光钻孔并穿透该基板，进而形成至少一盲孔；去除该图形化的第一导电层，并图形化该第二导电层以形成至少一导电垫于该盲孔下方；以化铜工艺形成一化铜层，该化铜层覆盖该图形化基板、该导电垫的表面及该盲孔；在该化铜层的表面形成一图形化光致抗蚀剂层；进行电镀以形成一图形化的第三导电层，用以形成多个细线路；以及去除该基板上的该光致抗蚀剂层。2. 如权利要求1所述的电路板细线路的制造方法，其特征在于，化铜工艺形成该化铜 层的步骤还包括对该化铜层进行一曝光显影工艺。3. 如权利要求1所述的电路板细线路的制造方法，其特征在于，所述多个细线路借由 半加成方法而设置于该化铜层上。4. 如权利要求3所述的电路板细线路的制造方法，其特征在于，其余的所述图形化的 第三导电层覆盖于该盲孔用以形成至少一导电盲孔。5. 如权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：范智朋，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]