均匀、中孔结构的氧化镍纳米薄片的制备方法技术

技术编号:4252188 阅读:200 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术一种均匀、中孔结构的氧化镍纳米薄片的制备方法,(1)将0.05~0.15mol/L的含镍的无机盐水溶液放入烧杯中,加入表面活性剂,表面活性剂的浓度为5g/L~10g/L,磁力搅拌3h;滴加氨水,氨水与含镍的无机盐水溶液的体积比为0.01∶1~0.015∶1,磁力搅拌0.5~2h;(2)将步骤(1)得到的混合溶液放置于聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜内,密封,于马弗炉内加热反应12~20h;反应温度为80~150℃;(3)将步骤(2)得到的浑浊溶液进行过滤、洗涤、干燥,得到氢氧化镍前驱物;(4)将步骤(3)得到的氢氧化镍前驱物在350~500℃焙烧2~4h,得到多孔结构的氧化镍纳米薄片。本发明专利技术的NiO纳米薄片,孔的直径为30~40nm;Ni0纳米薄片的直径为300~400nm,NiO属立方晶系,纯度高,产品质量好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种无机纳米材料的制备方法,特别是一种均匀、中孔结构的氧化镍(NiO)纳米薄片的制备方法。
技术介绍
纳米氧化镍(NiO)是一种重要的半导体材料,在工业上主要用作生产电池电极、催化剂、磁性材料、半导体(如压敏、热敏电阻)、镍锌铁氧体、燃料敏化太阳能电池等,已成为目前世界范围的研究热点之一。由于纳米NiO这些独特的性质强烈的依赖于它们的形貌和尺寸,因此不同形貌结构的纳米NiO的合成已经引起了广大研究工作者的极大兴趣。据文献报道,Han等(Powder Technology, 2004, 147, 113-116)采用水_油微胞法制备了 NiO纳米颗粒。Wu等(J. Materials Letters, 2007, 61-3174-3178)采用改进的溶胶凝胶法制备了Ni0纳米颗粒。Yang等(J. Cryst. Growth Des, 2007, 7, 2716-2719)通过醋酸镍在水和甘油混合溶剂,水解制备了康乃馨状的NiO纳米结构微球。Feng等(J. Am. Chem. Soc. 2008,130, 5262-5266)以KIT-6为模板制备了双峰分布的、有序介孔NiO材料。Kuang等(J. Phys.Chem. C, 2009, 113, 5508-5513)在阴离子表面活性剂的作用下,通过水热法制备了新型的层状结构的NiO微米球。Zhou (J. AM. CHEM. SOC. 2009, 131,2959-2964)采用水合肼法制备了纳米片组成的凹多面体NiO纳米颗粒。 另外,多孔材料由于具有均匀分布的微孔或孔洞,孔隙率高、体密度小,还具有高的比表面积及其独特的物理表面特性,并且不同的多孔性能够改变材料的物理和化学性质,因此多孔结构材料成为生物工程、环境工程、催化剂和传感器领域中一种具有发展前景的功能材料。 Feng等(J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 5262-5266)以KIT-6为模板制备了双峰分布的、有序的介孔NiO材料。到目前为止,均匀、中孔结构的纳米NiO的合成还未见文献报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种,以针对工业化生产多孔NiO纳米粉体的技术难题,提供了一种工艺简单、成本低的多孔结构的NiO纳米薄片的制备方法,以制备出高纯度的多孔结构的NiO纳米薄片,具有理论和实际应用价值。 本专利技术的一种均匀、中孔结构的NiO纳米薄片的制备方法的工艺流程如图l所示,具体步骤如下 (1)将一定量0. 05 0. 15mol/L的含镍的无机盐水溶液放入lOOmL的烧杯中,加入表面活性剂,表面活性剂的浓度为5g/L 10g/L,磁力搅拌3h后;滴加氨水,氨水与含镍的无机盐水溶液的体积比为o.oi : i o.oi5 : i,磁力搅拌o. 5 2h,形成蓝绿色透明的混合溶液; (2)将步骤(1)得到的混合溶液放置于聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜内,密封,3于马弗炉内加热反应12 20h ;反应温度为80 150°C ; (3)将步骤(2)得到的浑浊溶液进行过滤、洗涤、干燥,得到氢氧化镍前驱物; (4)将步骤(3)得到的氢氧化镍前驱物在350 50(TC焙烧2 4h,得到多孔结构的NiO纳米薄片。 整个反应过程的化学反应式可以表示如下 NH3 H20 — NH4++OH—Ni2++20H-— Ni (OH) 2Ni(OH)2 — NiO+H20 其中,所述的含镍的无机盐为六水合氯化镍、六水合硝酸镍。 其中,所述的表面活性剂是十六烷基溴化铵(CTAB)或聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。 其中,所述的NiO纳米薄片中孔分布均匀,孔的直径为30 40nm。其中,所述的均匀、中孔结构的NiO纳米薄片的直径为300 400nm,厚度为几个nm。 其中,所述的NiO纳米薄片的NiO成立方相,结晶度高。 在本专利技术所述不同的浓度和反应温度条件下,均能得到立方相的均匀、中孔结构的NiO纳米薄片,纯度高,产品质量好。 本专利技术制备的均匀、中孔结构的NiO纳米薄片不但有利于开拓NiO本身独特的性能和应用,而且有助于其它新的纳米结构器件的开发和应用。 本专利技术一种,其优点及功效在于 (1)所制得的NiO纳米薄片具有莲藕状的多孔结构且孔洞分布均匀。 (2)所制得的均匀、中孔结构的NiO纳米薄片纯度高,不含有其它形貌的NiO。 (3)所制得的均匀、中孔结构的NiO纳米薄片性能稳定,在空气中不易变性。 (4)工艺简单,对设备要求低,原材料易得到,费用低廉,可以进行大批量生产。(四) 附图说明 图1均匀、中孔结构的NiO纳米薄片的制备流程图。 图2采用本方法制备的均匀、中孔结构的NiO纳米薄片的X-射线衍射谱图。 图3采用本方法制备的均匀、中孔结构的NiO纳米薄片的扫描电镜照片。(五) 具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术做进一步说明,但不仅限于此。 实施例1 (1)将80mL, 0. 05mol/L的六水合氯化镍的水溶液放入100mL的烧杯中,加入0. 5g的十六烷基溴化铵(CTAB),磁力搅拌3h后;滴加0. 8mL氨水,磁力搅拌2h,形成淡绿色透明的混合溶液; (2)将步骤(1)得到的混合溶液放置于聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜内,密封,于马弗炉内加热反应15h ;反应温度为150°C ; (3)将步骤(2)得到的浑浊溶液进行过滤、洗涤、干燥,得到氢氧化镍前驱物; (4)将步骤(3)得到的氢氧化镍前驱物在50(TC焙烧2h,得到均匀、中孔结构的Ni0纳米薄片。图2为中孔结构的Ni0纳米薄片的X射线衍射图谱,所有衍射峰都很好的对应于立方相NiO,衍射峰强度高且尖锐,说明样品结晶度高。 实施例2 (1)将80mL, 0. 75mol/L的六水合氯化镍的水溶液放入lOOmL的烧杯中,加入0. 5g的聚乙烯吡咯烷酮(PVP),磁力搅拌3h后;滴加0. 8mL氨水,磁力搅拌2h,形成淡绿色透明的混合溶液; (2)将步骤(1)得到的混合溶液放置于聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜内,密封,于马弗炉内加热反应18h ;反应温度为120°C ; (3)将步骤(2)得到的浑浊溶液进行过滤、洗涤、干燥,得到氢氧化镍前驱物; (4)将步骤(3)得到的氢氧化镍前驱物在40(TC焙烧3h,得到均匀、中孔结构的NiO纳米薄片。图3为中孔结构的NiO纳米薄片的扫描电镜图谱,NiO纳米薄片中孔分布均匀,孔的直径为30 40nm ;均匀、中孔结构的NiO纳米薄片的直径为300 400nm,厚度为几个nm。 实施例3 (1)将80mL, 0. 15mol/L的六水合硝酸镍的水溶液放入100mL的烧杯中,加入0. 7g的聚乙烯吡咯烷酮(PVP),磁力搅拌3h后;滴加1. OmL氨水,磁力搅拌2h,形成淡绿色透明的混合溶液; (2)将步骤(1)得到的混合溶液放置于聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜内,密封,于马弗炉内加热反应20h ;反应温度为80°C ; (3)将步骤(2)得到的浑浊溶液进行过滤、洗涤、干燥,得到氢氧化镍前驱物; (4)将步骤(3)得到的氢氧化镍前驱物在35(TC焙烧4h,得到均匀、中孔结构的NiO纳米薄片。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种均匀、中孔结构的氧化镍纳米薄片的制备方法,特征在于:具体步骤如下:  (1)将一定量0.05~0.15mol/L的含镍的无机盐水溶液放入烧杯中,加入表面活性剂,表面活性剂的浓度为5g/L~10g/L,磁力搅拌3h后;滴加氨水,氨水与含镍的无机盐水溶液的体积比为0.01∶1~0.015∶1,磁力搅拌0.5~2h,形成蓝绿色透明的混合溶液;  (2)将步骤(1)得到的混合溶液放置于聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜内,密封,于马弗炉内加热反应12~20h;反应温度为80~150℃;(3)将步骤(2)得到的浑浊溶液进行过滤、洗涤、干燥,得到氢氧化镍前驱物;  (4)将步骤(3)得到的氢氧化镍前驱物在350~500℃焙烧2~4h,得到多孔结构的氧化镍纳米薄片。

【技术特征摘要】
一种均匀、中孔结构的氧化镍纳米薄片的制备方法,特征在于具体步骤如下(1)将一定量0.05~0.15mol/L的含镍的无机盐水溶液放入烧杯中,加入表面活性剂,表面活性剂的浓度为5g/L~10g/L,磁力搅拌3h后;滴加氨水,氨水与含镍的无机盐水溶液的体积比为0.01∶1~0.015∶1,磁力搅拌0.5~2h,形成蓝绿色透明的混合溶液;(2)将步骤(1)得到的混合溶液放置于聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜内,密封,于马弗炉内加热反应12~20h;反应温度为80~150℃;(3)将步骤(2)得到的浑浊溶液进行过滤、洗涤、干燥,得到氢氧化镍前驱物;(4)将步骤(3)得到的氢氧化镍前驱物在350~500℃焙烧2~4h,得到多孔结构的氧化镍纳米薄片。2. 根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:王聪崔银芳吴素娟
申请(专利权)人:北京航空航天大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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