发光二极管器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管器件及其制造方法。一种发光二极管器件包括基底。位于所述基底上方的缓冲层。位于所述缓冲层上方的第一导电性局限层。位于所述第一导电性局限层上方的发光层。位于所述发光层上方的第二导电性第一局限层。位于所述第二导电性第一局限层上方的具导电性第一接触层。位于所述具导电性第一接触层上方经图案化的第二导电性第二局限层。位于所述第二导电性第二局限层上方经图案化的具导电性第二接触层。位于所述第二接触层上方的透明导电层，具有多个接触穿经所述第二接触层及所述第二导电性第二局限层而电性接触所述第一接触层。位于所述第一导电性局限层上方的第一导电性电极及位于所述透明导电层上方的第二导电性电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种发光器件及其制造方法，特别是，本专利技术是关于一种 发光二极管及其制造方法。
技术介绍
参阅图1，其示意性说明了已知发光二极管器件的结构组成；发光二极管 器件1包含基材10、位于所述基材IO上的缓冲层11、位于所述缓冲层11上 方的第一局限层12、位于所述第一局限层12上方的发光层13、位于所述发 光层13上方的第二局限层14、位于所述第二局限层14上方的接触层15、位 于所述接触层15上方的透明导电层16，及一组电极单元17，其中电极单元 17由位于所述第一局限层12上方的第一电极17a以及位于所述透明导电层 16上方的第二电极17b所组成，第一电极17a与第二电极17b相配合以提供 电能于发光二极管器件l。在前述结构中，第一局限层12与第二局限层14具有彼此不同的导电性； 举例而言，第一局限层12与第二局限层14分别为经掺杂而呈n型(n-type) 导电性与经掺杂而呈p型(p-type)的氮化镓系列半导体材料。电极单元17的第一电极17a及第二电极17b以例如金、铬等金属及/或其 合金所构成，其中，第一电极17a设置在n型的第一局限层12上并与其形成 欧姆接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管器件，其特征在于，所述发光二极管器件包括：　基底；　缓冲层，位于所述基底上方；　第一导电性局限层，位于所述缓冲层上方；　发光层，位于所述第一导电性局限层上方；　第二导电性第一局限层，位于所述发光层 上方；　具导电性第一接触层，位于所述第二导电性第一局限层上方；　经图案化第二导电性第二局限层，位于所述具导电性第一接触层上方；　经图案化具导电性第二接触层，位于所述第二导电性第二局限层上方；　透明导电层，位于所述第二 接触层上方，所述透明导电层具有多个接触穿经所述第二接触层及所述第二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪铭煌，蔡宗良，
申请(专利权)人：广镓光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]