增加导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法技术

一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法，其中该封装结构包括：发光单元，具有一发光本体、两个分别成形于发光本体上的正、负极导电层、及一成形于正、负极导电层之间的第一绝缘层；第一导电单元，具有一成形于正极导电层上的第一正极导电层及一成形于负极导电层上的第一负极导电层；第二导电单元，具有一成形于第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于第一负极导电层上的第二负极导电结构；绝缘单元，具有一成形在第一绝缘层上并且位于第二正、负极导电结构之间的第二绝缘层。本发明专利技术能提供较大的导电面积及散热面积，该荧光层配合该发光区域所产生的光束来提供白色光源，在制作时可大大降低制作时间及成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法，尤其涉及一种增加 导电及散热面积的发光二极管封装结构及其制作方法。
技术介绍
请参阅图l所示，其为公知发光二极管封装结构的结构示意图。由上述 图中可知，公知发光二极管封装结构包括 一发光本体l，两个分别设置于 该发光本体1上的正极导电层P及负极导电层N、 一设置于该发光本体l的 底部的反射层2 、及一用于包覆该发光本体1的透明封装胶体3 。另外，该发光二极管封装结构设置于一电路板p上，并且通过两条导电w以分别将该正极导电层P及该负极导电层N电性连接于该电路板。此外，该发光本体1产生的一部分光束直接产生向上投射的效果，并且该发光本体 1所产生的另一部分光束L通过该反射层2的反射以产生向上投射的效果。 然而，上述公知发光二极管封装结构具有下列的缺点存在1、 上述该正极导电层P及该负极导电层N只裸露出一部分的面积，因 此该正极导电层P及该负极导电层N无法提供较大的导电面积(无法提供较 大的电源功率)及散热面积(无法提供较佳的散热效率)。2、 由于该透明封装胶体3将该发光本体1包覆住，所以该发光本体l 所产生的热因受到该透明封装胶体3的阻碍而无法进行散热，因此公知发光 二极管封装结构的散热效果非常不好。3、 该反射层2、该透明封装胶体3、及上述两条导电w均为公知发光 二极管封装结构在制作时必要的结构特征，因此公知发光二极管封装结构在 制作时不仅较费时，也产生较高的制作成本。因此，由上可知，上述公知的发光二极管封装结构，在实际使用上，显 然具有不便与缺点存在。于是，本专利技术人有感上述缺点的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效 改善上述缺点的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题，在于提供一种增加导电及散热面积的发光 二极管封装结构及其制作方法。本专利技术通过大面积的一第二正极导电结构及 一第二负极导电结构的使用，以提供较大的导电面积(能提供较大的电源功 率)及散热面积(能提供较佳的散热效率)。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种增加导 电及散热面积的发光二极管封装结构，其包括 一发光单元、 一第一导电单 元、 一第二导电单元及一绝缘单元。其中，该发光单元具有一发光本体、一 成形于该发光本体上的正极导电层、 一成形于该发光本体上的负极导电层、 一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层、及一成形于该发 光本体内的发光区域。该第一导电单元具有一成形于该正极导电层上的第一 正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层。该第二导电单元 具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一 负极导电层上的第二负极导电结构。该绝缘单元具有一成形在该第一绝缘层 上并且位于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间的第二绝缘层。另外，本专利技术增加导电及散热面积的发光二极管封装结构更进一步包 括 一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于该发光单元底部及周围的 荧光层。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种增加导 电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤首先， 提供一具有多个发光单元的晶片，其中每一个发光单元具有一发光本体、一 成形于该发光本体上的正极导电层、 一成形于该发光本体上的负极导电层、 一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层、及一成形于该发 光本体内的发光区域；接着，分别成形多个第一导电单元于所述多个发光单 元上，其中每一个第一导电单元具有一成形于该相对应正极导电层上的第一 正极导电层及一成形于该相对应负极导电层上的第一负极导电层；然后，分 别成形多个第二绝缘层于所述多个第一绝缘层上；接下来，分别成形多个第二导电单元于所述多个第一导电单元上，其中每一个第二导电单元具有一成 形于该相对应第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该相对应 第一负极导电层上的第二负极导电结构，并且每一个第二绝缘层成形于该第 二正极导电结构及该第二负极导电结构之间。另外，上述分别成形所述多个第二导电单元于所述多个第一导电单元上 的步骤后，本专利技术更进一步包括下列两种不同的实施例第一种实施例首先，将该晶片翻转，并置于一耐热的高分子基板上； 接着，成形一荧光层于每一个发光单元的底端；最后，进行切割过程，以将 该晶片切割成多个发光二极管封装结构。第二种实施例首先，将该晶片翻转，并置于一耐热的高分子基板上； 接着，进行第一次切割过程，以将该晶片切割成多个形成于所述多个发光单 元之间的凹槽；然后，填充荧光材料于所述多个凹槽内；接下来，固化该荧 光材料，以形成一荧光层于每一个发光单元的底端及周围；最后，进行第二 次切割过程，以将该晶片切割成多个发光二极管封装结构。因此，本专利技术 的特点在于1 、因为第二导电单元具有一成形于该相对应第一正极导电层上的第二 正极导电结构及一成形于该相对应第一负极导电层上的第二负极导电结构， 并且每一个第二绝缘层成形于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构 之间，所以该第二正极导电结构及该第二负极导电结构能提供较大的面积以 提供导电及散热。借此，本专利技术所制作的晶片级发光二极管封装结构能提供 较大的导电面积(能提供较大的电源功率)及散热面积(能提供较佳的散热 效率)。2、以上述第一实施例而言，该荧光层可成形于该发光单元的氧化铝基 板的底部，以配合该发光区域所产生的光束来提供白色光源。以上述第二实 施例而言，该荧光层成形于该发光单元的底部及周围，以配合该发光区域所 产生的光束来提供白色光源。3 、本专利技术不需使用像上述公知一样的导线、反射层及封装胶体，因此 本专利技术增加导电及散热面积的发光二极管封装结构在制作时可大大降低制 作时间及成本。为了能更进一步了解本专利技术为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，相信本专利技术的目的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而所附附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为公知发光二极管封装结构的结构示意图2为本专利技术增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法的 第一实施例的流程图2A到图2K分别为本专利技术增加导电及散热面积的发光二极管封装结 构的制作方法的第一实施例的制作流程示意图2L为本专利技术第一实施例的增加导电及散热面积的发光二极管封装结 构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上；图3为本专利技术增加导电及散热面积的发光二极管封装结构的制作方法的 第二实施例的部分流程图3A到图3C分别为本专利技术增加导电及散热面积的发光二极管封装结构 的制作方法的第二实施例的部分制作流程示意图；以及图3D为本专利技术第二实施例的增加导电及散热面积的发光二极管封装结 构通过锡膏的方式电性连接于一 电路板上。其中，附图标记说明如下1 发光本体P 正极导电层 N 负极导电层2 反射层3 透明封装胶体 w 导电L 光束 W 晶片 Za 发光二极管封装结构1 a 发光单元 1 0 a 发光本体A a 发光区域 10 0a氧化铝基板 10 1a氮化镓负电极层 10 2a氮化镓正电极层1 1 a 第一绝缘层 P a 正极导电层P 1 a 正极导电区域N a 负极导电层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增加导电及散热面积的发光二极管封装结构，其特征在于，包括：　　一发光单元，其具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域；　　一第一导电单元，其具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层；　　一第二导电单元，其具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构；以及一绝缘单元，其具有一成形在该第一绝缘层上并且位于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间的第二绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪秉龙，萧松益，陈政吉，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]