【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方案涉及。
技术介绍
由发光二极管发射的光的波长取决于用于制造发光二极管的半导体材料。这是因为发射的光的波长取决于半导体材料的表示价带电子和导带电子之间能差的带隙。 近来随着发光二极管亮度的增加，发光二极管正用作显示器、车辆和照明装置的光源。而且，发出高效白色光的发光二极管可以通过使用荧光物质或者通过将各种颜色的发光二极管进行组合来实现。 另一方面，发光二极管的亮度取决于不同条件，例如有源层的结构、将光提取到外 部的光提取结构、芯片尺寸和包围发光二极管的模制构件的类型。
技术实现思路
本专利技术的实施方案提供具有新型光提取结构的。 本专利技术的实施方案还提供具有改善的光提取效率的。 在一个实施方案中，发光器件包括有源层；在所述有源层上的第一导电半导体 层；在所述有源层上的第二导电半导体层，使得所述有源层设置于所述第一和第二导电半 导体层之间；和光子晶体结构，所述光子晶体结构包括具有第一周期的在所述第一导电半 导体层上的第一光提取图案和具有第二周期的在所述第一导电半导体层上的第二光提取 图案，所述第一周期大于入/n，所述第二周期等于或小于A/n，...
【技术保护点】
一种发光器件，包括：有源层；在所述有源层上的第一导电半导体层；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述有源层上以使得所述有源层设置于所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间；和光子晶体结构，所述光子晶体结构包括具有第一周期的在所述第一导电半导体层上的第一光提取图案和具有第二周期的在所述第一导电半导体层上的第二光提取图案，所述第一周期大于λ／ｎ，所述第二周期等于或者小于λ／ｎ，其中ｎ是所述第一导电半导体层的折射率，λ是由所述有源层发射的光的波长。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金鲜京，李镇旭，曹贤敬，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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