发光器件封装制造技术

提供一种发光器件封装。该发光器件封装包括封装体、封装体上的发光器件和发光器件下方的透光光导构件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件封装。
技术介绍
III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而广泛用作发光器件例如发光二极 管(LED)和激光二极管(LD)的核心材料。III-V族氮化物半导体由组成式InxAlyGai—x—yN(其 中0《x《l，O《y《1和0《x+y《1)表示的半导体材料构成。 LED是一种利用化合物半导体的特性将电转变成红外线或光以输入/输出信号或 用作光源的半导体器件。 具有氮化物半导体材料的LED或LD广泛用于发光器件以获得光。例如，LED或LD 用作各种产品如便携式电话键盘的发光部分、电子显示屏和照明设备的光源。
技术实现思路
实施方案提供一种发光器件封装，其将光导构件置于发光器件下方，由此改善光 提取效率。 实施方案提供一种发光器件封装，其包括在封装体和发光器件之间的光导构件。 实施方案提供一种发光器件封装，其包括在发光器件下方的光导构件和引线电 极。 —个实施方案提供一种发光器件封装，其包括封装体；所述封装体上的发光器 件；和所述发光器件下方的透光光导构件。 —个实施方案提供一种发光器件封装，其包括包含腔的封装体；所述腔处的发 光器件；所述发光器件下方的至少一个引线电极；所述发光器件下方的至少一个光导构 件；和所述腔处的树脂材料。 —个实施方案提供一种发光器件封装，其包括封装体；所述封装体上的发光器 件；电连接至所述发光器件的至少一个引线电极；所述发光器件下方的粘合部；和所述引 线电极和所述粘合部之间的光导构件。 —个实施方案提供一种发光器件封装，其包括包括腔的封装体；所述腔处的发 光器件；所述发光器件下方的至少一个引线电极；和设置在所述发光器件的周边下方的光 导构件。 —个或更多个实施方案的细节在以下说明书和附图中阐述。根据说明书和附图以 及权利要求，其它特征将变得明显。附图说明 图1是示出根据第一实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图2是示出图1中利用光导构件提取光的一个实例的图。 图3是示出图1中的发光器件封装的平面图。 图4是示出根据第二实施方案的发光器件封装的平面图。 图5是示出根据第三实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图6是示出根据第四实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图7是示出根据第五实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图8是示出根据第六实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图9是示出根据第七实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图10是示出根据第八实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图11是示出根据第九实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图12是示出根据第十实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图13是示出根据第十一实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图14是示出根据第十二实施方案的发光器件封装的侧视截面图。 图15是示出根据第十三实施方案的发光器件封装的侧视截面图。具体实施例方式现在将详细参照本公开内容的实施方案，其实施例在附图中示出。在实施方案的 说明中，各层的"上方"或"下方"可以参照附图来描述，并且各层的厚度也是作为例子来描 述，而不限于附图中所显示的厚度。 图1是示出根据第一实施方案的发光器件封装的侧视截面图。图2是示出图1中 利用光导构件提取光的一个实例的图。 参照图1和2，发光器件封装100包括封装体110、腔115、引线电极131和132、光 导构件140和树脂材料150。 封装体110可包含树脂材料(例如PC和PPA)、陶瓷材料或硅材料。封装体110可 包含注塑结构或堆叠结构。封装体110可包含反射率高于70%的树脂材料。 引线电极131和132形成在封装体110处。引线电极131和132可形成为PCB型、 陶瓷型、引线框型和通孔型中的至少一种。 在实施方案中，为了方便起见，下面将以引线框型为例进行说明。封装体110可与 其上部112整体注塑而成，或者可与上部112以分开的堆叠结构连接。 具有一定深度的腔115形成在封装体110的上部112处。腔115具有敞开的上 侧。腔115的表面形状可以是圆形、多边形或其它形状，并且腔115可以形成为单层结构或 多层结构，但是不限于此。腔115的周边可以形成为相对于腔115的底部垂直或倾斜。腔 115不形成在封装体110处，封装体110可形成为具有平坦表面。 各引线电极131和132的一端位于腔115处。引线电极131和132彼此分离且为 电断开。 发光器件120可附着至第一电极131和/或第二电极132上。发光器件120可附 着到第一引线电极131的粘合部133上。发光器件120和引线电极131和132可以通过导5线122电连接。发光器件120可通过选择性使用芯片接合、导线接合或倒装接合而连接至 引线电极131和132。 引线电极131和132的外端Pl和P2可以暴露于电极型封装体110的外侧，或者 可以沿封装体110的外侧延伸到后表面或底面的一部分。而且，在封装体110中可包含通 孔或辅助孔。 发光器件120可包括蓝色LED芯片、另一色LED芯片或紫外(UV)LED芯片，并且在 腔115中可包含这些芯片中的至少一种，但是不限于此。 发光器件120可包括衬底121和发光结构123的堆叠结构。例如衬底121可由 Al203、SiC、Si、GaAs、GaN、Zn0、GaP和InP中的任一种形成。在实施方案中，可以在上述实 例中使用透光衬底。发光结构123包含III-V族化合物半导体中的至少一种，并且形成为 N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的任一种。发光结构123发出具 有一定波长的光。 可以在发光器件120下方设置另一衬底或半导体层来代替衬底121，但是不限于 此。 在发光器件120中，光导构件140和粘合部133位于衬底121下方。衬底121和 光导构件140可由相同的材料或折射率差异小的材料形成。因此，从发光结构123发出的 光可以经过衬底121入射到光导构件140，并且穿过光导构件140而从发光器件120的外侧 射出。光导构件140可由折射率小于2的材料形成。 光导构件140形成在腔115处。光导构件140的一侧位于发光器件120下方，并 且光导构件140的另一侧位于发光器件120的周边的外侧。 在腔115处可形成至少一个槽117。槽117可在腔115的底部116(图2中示出) 形成为具有一定的深度。槽117的深度可形成为大于引线电极131和132的厚度。 槽117可形成为相对于发光器件120的下周边从内侧连接到外侧，这可以形成为 将内侧的光提取到外侧的形状和图案。 槽117可以形成在各引线电极131和132的内侧或一侧处，但是不限于此。 光导构件140形成在槽117处。光导构件140可以形成为与槽117对应的形状和 图案。槽117例如可以形成为圆形、多边形(例如菱形和梯形)、条形、透镜形或任意形状。 光导构件140例如可以形成为多边形(例如四边形)、圆形或条形。然而，槽117的形状不 限于上述形状。槽的表面涂有反射材料(例如Ag、Al)。 光导构件140的内侧可以形成在发光器件120的下部处或发光器件120的整个下 部区域处，光导构件140的外侧暴露在发光器件120的周边处。在该情况下，光导构件140 的外侧可形成为伸出槽117以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：封装体；所述封装体上的发光器件；和所述发光器件下方的透光光导构件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李尚烈，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]