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本发明提供一种发光二极管器件及其制造方法。一种发光二极管器件包括基底。位于所述基底上方的缓冲层。位于所述缓冲层上方的第一导电性局限层。位于所述第一导电性局限层上方的发光层。位于所述发光层上方的第二导电性第一局限层。位于所述第二导电性第一局限...
该专利属于广镓光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广镓光电股份有限公司授权不得商用。

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