瞬时侦测电路以及集成电路制造技术

本发明专利技术提供一种瞬时侦测电路以及集成电路，当一静电放电事件发生时，提供一告知信号给一外部仪器。瞬时侦测电路包括，一侦测单元、一设定单元以及一记忆单元。侦测单元耦接于一第一及第二电源线之间，用以侦测该静电放电事件。设定单元根据侦测结果，设定一第一节点的位准。记忆单元根据该第一节点的位准，控制该告知信号。当该静电放电事件发生时，该告知信号为一第一位准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种具有静电放电(electrostatic discharge; ESD)保护的瞬时 (transient)侦测电路以及集成电路，特别是有关于一种当ESD事件发生时，可 提供一告知信号给一外部仪器的瞬时侦测电路以及集成电路。
技术介绍
对于集成电路而言，静电放电(Electrostatic discharge; ESD)事件是可靠 度上相当重要的课题之一。为了符合组件层次(component-level)的ESD规范， 可将ESD保护电路加在CMOS IC的输入/输出单元(1/0 cell)以及电源线(VDD 及VSS)之中。除此之外，针对COMS IC产品，在组件层次ESD应力中，系 统层次(system level)的ESD可靠度逐渐受到重视。根据电磁兼容 (electromagnetic compatibility; EMC)规范，对于系统层次的ESD可靠度测i式 需更将严格。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种瞬时侦测电路以及集成电路，当 ESD事件发生时，可提供一告知信号给一外部仪器。本专利技术提供一种瞬时侦测电路。当一静电放电事件发生时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瞬时侦测电路，其特征在于，用于当一静电放电事件发生时，提供一告知信号给一外部仪器，该瞬时侦测电路包括：　一侦测单元，耦接于一第一及第二电源线之间，用以侦测该静电放电事件；　一设定单元，根据侦测结果，设定一第一节点的位准；以及 　一记忆单元，根据该第一节点的位准，控制该告知信号，当该静电放电事件发生时，该告知信号为一第一位准。

【技术特征摘要】
US 2008-1-23 12/018,2291、一种瞬时侦测电路，其特征在于，用于当一静电放电事件发生时，提供一告知信号给一外部仪器，该瞬时侦测电路包括一侦测单元，耦接于一第一及第二电源线之间，用以侦测该静电放电事件；一设定单元，根据侦测结果，设定一第一节点的位准；以及一记忆单元，根据该第一节点的位准，控制该告知信号，当该静电放电事件发生时，该告知信号为一第一位准。2、 根据权利要求l所述的瞬时侦测电路，其特征在于，还包括一缓冲单元，耦接于该记忆单元与该外部仪器之间，用以增加该告知信号的驱动能力。3、 根据权利要求2所述的瞬时侦测电路，其特征在于，还包括一重置单元，耦接于该缓冲单元与该第二电源线之间，用以使该告知信号为一第二位准，该第二位准相对于该第一位准。4、 根据权利要求1所述的瞬时侦测电路，其特征在于，该侦测单元包括一电阻，耦接于该第一电源线与一第二节点之间；以及一电容，耦接于该第二节点与该第二电源线之间。5、 根据权利要求4所述的瞬时侦测电路，其特征在于，该设定单元包括一反相器，其输入端耦接该第二节点；以及一N型晶体管，其栅极耦接该反相器的输出端，其源极耦接该第二电源线，其漏极耦接该第一节点。6、 根据权利要求4所述的瞬时侦测电路，其特征在于，该设定单元为一P型晶体管，其栅极耦接该第二节点，其源极耦接该第一电源线，其漏极耦接该第一节点。7、 根据权利要求1所述的瞬时侦测电路，其特征在于，该侦测单元包括一电容，耦接于该第一电源线与一第二节点之间；以及一电阻，耦接于该第二节点与该第二电源线之间。8、 根据权利要求7所述的瞬时侦测电路，其特征在于，该设定单元包括一反相器，其输入端耦接该第二节点；以及一P型晶体管，其栅极耦接该反相器的输出端，其源极耦接该第一电源线，其漏极耦接该第一节点。9、 根据权利要求7所述的瞬时侦测电路，其特征在于，该设定单元为一N型晶体管，其栅极耦接该第二节点，其源极耦接该第二电源线，其漏极耦接该第一节点。10、 根据权利要求l所述的瞬时侦测电路，其特征在于，该记忆单元包括一第一逻辑模块，其输入端耦接该第一节点，其输出端输出该告知信号给该外部仪器；以及一第二逻辑模块，其输入端耦接该第一逻辑模块的输出端，其输出端耦接该第一节点。11、 根据权利要求io所述的瞬时侦测电路，其特征在于，该第一逻辑器为反相器，与...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯明道，颜承正，廖期圣，陈东旸，
申请(专利权)人：奇景光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]