检测方法及特征尺寸测量仪器技术

本发明专利技术公开了一种检测方法，用于检测磁场对ＣＤ测量仪器的影响程度。该检测方法包括：采用单次测量方法测量电路图形的特征尺寸获得测量值Ｗ１；采用多点测量方法测量电路图形的特征尺寸获得测量值Ｗ２；获取磁场影响指数，其是测量值Ｗ１与Ｗ２的比值；其中所述磁场影响指数越大说明特征尺寸测量仪器受到磁场影响越大，当所述磁场影响指数越接近１说明特征尺寸测量仪器受到磁场影响越小。本发明专利技术的检测方法运用ＣＤ测量仪器提供的不同的测量方法，用两种测量值相比较的比值来定量表征磁场对ＣＤ测量仪器的影响程度，操作简单，实施方便，不需要额外的仪器设备或操作人员。此外，本发明专利技术还公开了一种应用上述检测方法的ＣＤ测量仪器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域的检测工艺，具体地说，涉及一种用于检测特征尺寸(CD)测量仪器受到磁场的影响程度的检测方法以及应用该检测方法的CD 测量仪器。
技术介绍
随着半导体器件的小型化发展，半导体器件上集成电路密集程度大大增加， 集成电路的特征尺寸(CD)成为一个重要参数，其精确程度直接影响半导体器 件的电学性能。半导体器件每一层电路的CD都需要釆用CD测量仪器进行测量， 并进行严格控制，以确保后续工艺的顺利进行。业界常用工序能力指数(CPK)来衡量一道工序的质量与可靠性，工序能 力指数是指工序在一定时间里，处于控制状态(稳定状态)下的实际加工能力， 反映了工序保证质量的能力。在集成电路制造过程中，CD测量仪器的检测结果 是影响工序能力指数的一个因素。由于在实际测量过程中，CD测量仪器比较敏 感，容易受到周围磁场的影响，使得测量值不够精准。若磁场的影响是不稳定 的，则还会使测量值和真实值的偏差变得很大。如果这种现象不能被及时发现， 就会影响黄光区和蚀刻区的工序能力指数。然而，目前并没有一种有效的检测 方法和CD测量仪器能够对/磁场影响程度进行^r测。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测方法，用于检测磁场对一特征尺寸测量仪器的影响程度，所述特征尺寸测量仪器可采用单次测量方法或多点测量方法对一电路图形的特征尺寸进行测量，其特征在于，所述检测方法包括下列步骤：　　　　采用单次测量方法测量电路图形的特征尺寸，获得测量值Ｗ１；　　　　采用多点测量方法测量电路图形的特征尺寸，获得测量值Ｗ２；　　　　获取磁场影响指数，其是测量值Ｗ１与Ｗ２的比值；　　　　根据磁场影响指数判断磁场对特征尺寸测量仪器的影响程度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柳会雄，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]