温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种检测方法，用于检测磁场对ＣＤ测量仪器的影响程度。该检测方法包括：采用单次测量方法测量电路图形的特征尺寸获得测量值Ｗ１；采用多点测量方法测量电路图形的特征尺寸获得测量值Ｗ２；获取磁场影响指数，其是测量值Ｗ１与Ｗ２的比值；其中所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。