一种改善栅氧化层ＴＤＤＢ失效的方法技术

本发明专利技术涉及一种改善栅氧化层ＴＤＤＢ失效的方法，包括如下步骤：步骤１，提供一衬底；步骤２，在该衬底上形成一层牺牲氧化层；步骤３，在该牺牲氧化层上形成氮化硅层，该氮化硅层作为硬掩膜；步骤４，在该氮化硅层上形成对位标记；步骤５，用浅沟道隔离工艺对该对位标记进行蚀刻，在衬底中形成ＳＴＩ；步骤６，用介电质填充上述ＳＴＩ并在氮化硅层上形成介电质层；步骤７，对该介电质层进行化学机械研磨，研磨至该氮化硅层；步骤８，在该氮化硅层及ＳＴＩ的上部形成热氧化层；步骤９，用热磷酸去除该热氧化层及氮化硅层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，特别是涉及一种改善栅氧化层TDDB失效的方法。
技术介绍
在浅沟道隔离(STI)工艺中，扩散区的宽度随着工艺的缩小也越来越小，在这样 的扩散区上热氧化栅氧化层，STI角部的氧化层的生长将比角部之外的区域困难，通常会出 现氧化层在角部的厚度比角部之外的区域厚度小30% -40%的情况。在这样的情况下，做 氧化层介质击穿(timecbpendent dielectric breakdown，简称TDDB)测验的时候，通常也 从STI的角部开始失效。需要提出对这种栅氧化层的TDDB失效进行有效改善的方法。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提出一种改善栅氧化层TDDB失效的方 法，在不影响制成窗口(Window)的情况下，仅增加一道热氧化就能对这种栅氧化层的TDDB 失效进行有效的改善。为了达到本专利技术的上述和其他目的，本专利技术采用了如下的技术方案一种改善栅 氧化层TDDB失效的方法，包括如下步骤步骤1，提供一衬底；步骤2，在该衬底上形成一层牺牲氧化层；步骤3，在该牺牲氧化层上形成氮化硅层，该氮化硅层作为硬掩膜；步骤4，在该氮化硅层上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善栅氧化层ＴＤＤＢ失效的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１，提供一衬底；步骤２，在该衬底上形成一层牺牲氧化层；步骤３，在该牺牲氧化层上形成氮化硅层，该氮化硅层作为硬掩膜；步骤４，在该氮化硅层上形成对位标记；步骤５，用浅沟道隔离工艺对该对位标记进行蚀刻，在衬底中形成ＳＴＩ；步骤６，用介电质填充上述ＳＴＩ并在氮化硅层上形成介电质层；步骤７，对该介电质层进行化学机械研磨，研磨至该氮化硅层；步骤８，在该氮化硅层及ＳＴＩ的上部形成热氧化层；步骤９，用热磷酸去除该热氧化层及氮化硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张建伟，张松，王文全，洪文田，曾海，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32