制造有源矩阵基底和有机发光显示装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种制造有源矩阵基底和有机发光显示装置的方法。由于在图案化工艺期间图案化工艺的道数减少和颗粒产生减少，所以制造有源矩阵基底的方法能够提高产率。该方法包括：在基底上形成图案化的电极，并利用绝缘膜覆盖第一电极。然后，通过将形成在半导体晶片的表面上的第一层附着到第一绝缘膜，在绝缘膜上形成单晶半导体层；然后，通过利用图案化的电极作为光掩模而从基底的下侧照射光，以将半导体层图案化，并部分地进行掺杂。这样部分地得到形成用于薄膜晶体管的单晶有源层，然后将其构造为形成用于有源矩阵基底的像素。

【技术实现步骤摘要】

下面的描述涉及。技术背景 近来，平面显示装置由有源矩阵方法来驱动，其中，发光装置形成在包括多个薄膜 晶体管的有源矩阵基底上。具体而言，有机发光显示装置使用由多晶硅材料形成的薄膜晶 体管。当使用低温晶化方法来形成多晶硅膜时，平板显示装置的制造工艺非常复杂，因此产 率降低。也就是说，为了形成有源矩阵基底，使用采用光刻工艺的多道图案化工艺。在这种 情况下，在每道图案化工艺中使用与期望的图案对应的光掩模。因此，由于使用大量的设备来执行光刻工艺，所以制造成本增加，并且由于光刻工 艺，总工艺时间增加，从而降低了产率。另外，在各道工艺期间产生的颗粒导致低成品率。
技术实现思路
本专利技术的实施例的多个方面涉及一种通过减少图案化工艺的道数并减小低成品 率的概率来制造有源矩阵基底的方法和一种制造有机发光显示装置的方法。根据本专利技术的实施例，一种制造有源矩阵基底的方法包括在基底上以第一图案 形成第一电极；在所述基底上形成第一绝缘膜，以覆盖所述第一电极；通过将半导体晶片 放置在所述第一绝缘膜上，将所述半导体晶片的表面上的第一层附着到所述第一绝缘膜； 将所述第一层转印到所述第一绝缘膜上，以在所述第一绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造有源矩阵基底的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上形成具有第一图案的第一电极；在所述基底上形成第一绝缘膜，以覆盖所述第一电极；通过将半导体晶片放置在所述第一绝缘膜上，将所述半导体晶片的表面上的第一层附着到所述第一绝缘膜；将所述第一层转印到所述第一绝缘膜上，以在所述第一绝缘膜上形成半导体层；利用掺杂剂掺杂所述半导体层的一部分并将所述半导体层图案化，以形成有源层；在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，以覆盖所述有源层；在所述第二绝缘膜上形成结合到所述有源层的掺杂区域的第二电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔雄植，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]