一种制造高压LCD驱动器件的前道工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种制造高压ＬＣＤ驱动器件的前道工艺，包括：高压Ｐ阱注入、高压Ｎ阱注入、浅槽隔离结构的制备、高压ＤＤＤ－Ｐ注入与低压Ｎ阱注入、高压ＤＤＤ－Ｂ注入与低压Ｐ阱注入，用高压Ｎ阱光刻和高压ＤＤＤ－Ｂ完成高压ＰＭＯＳ器件的制备，用高压Ｐ阱光刻和高压ＤＤＤ－Ｐ完成高压ＮＭＯＳ器件的制备；其中高压ＤＤＤ－Ｐ注入与低压Ｎ阱注入同时进行，进行一次光刻；高压ＤＤＤ－Ｂ注入与低压Ｐ阱注入同时进行，进行一次光刻；高压ＤＤＤ－Ｐ注入与低压Ｎ阱注入和高压ＤＤＤ－Ｂ注入与低压Ｐ阱注入使用两块光刻板。本发明专利技术将高压ＤＤＤ－Ｐ与低压Ｎ阱分别注入改为高压ＤＤＤ－Ｐ与低压Ｎ阱同时注入，并将高压ＤＤＤ－Ｂ与低压Ｐ阱分别注入改为高压ＤＤＤ－Ｂ与低压Ｐ阱同时注入，减少了工艺步骤，降低了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种制造高压LCD驱动器件的前道工艺。
技术介绍
目前高压LCD驱动器件前道注入工艺，包括高压P阱注入、高压N阱注入、浅槽隔离结构的制备、高压DDD-P注入、高压DDD-B注入、低压N阱注入、低压P阱注入等步骤，即在现有制程中，制备栅氧之前，高压、低压阱和高压DDD注入等过程需要6次光刻。因而减少前道注入过程的光刻次数，可以减少工艺步骤，降低成本。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种制造高压LCD驱动器件的前道工艺。为解决上述技术问题，本专利技术工艺包括高压P阱注入、高压N阱注入、浅槽隔离结构的制备、高压DDD-P注入与低压N阱注入、高压DDD-B注入与低压P阱注入，用高压N阱光刻和高压DDD-B完成高压PMOS器件的制备，用高压P阱光刻和高压DDD-P完成高压NMOS器件的制备；其中高压DDD-P注入与低压N阱注入同时进行，进行一次光刻；高压DDD-B注入与低压P阱注入同时进行，进行一次光刻；高压DDD-P注入与低压N阱注入和高压DDD-B注入与低压P阱注入使用两块光刻板。本专利技术由于将高压DDD-P与低压N阱分别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造高压ＬＣＤ驱动器件的前道工艺，其特征在于，包括：高压Ｐ阱注入、高压Ｎ阱注入、浅槽隔离结构的制备、高压ＤＤＤ－Ｐ注入与低压Ｎ阱注入、高压ＤＤＤ－Ｂ注入与低压Ｐ阱注入，用高压Ｎ阱光刻和高压ＤＤＤ－Ｂ完成高压ＰＭＯＳ器件的制备，用高压Ｐ阱光刻和高压ＤＤＤ－Ｐ完成高压ＮＭＯＳ器件的制备；其中所述高压ＤＤＤ－Ｐ注入与低压Ｎ阱注入同时进行，进行一次光刻；高压ＤＤＤ－Ｂ注入与低压Ｐ阱注入同时进行，进行一次光刻；所述高压ＤＤＤ－Ｐ注入与低压Ｎ阱注入和高压ＤＤＤ－Ｂ注入与低压Ｐ阱注入使用两块光刻板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑萍，金炎，俞波，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]