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本发明公开了一种制造高压ＬＣＤ驱动器件的前道工艺，包括：高压Ｐ阱注入、高压Ｎ阱注入、浅槽隔离结构的制备、高压ＤＤＤ－Ｐ注入与低压Ｎ阱注入、高压ＤＤＤ－Ｂ注入与低压Ｐ阱注入，用高压Ｎ阱光刻和高压ＤＤＤ－Ｂ完成高压ＰＭＯＳ器件的制备，用高压Ｐ阱...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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