一种ＯＴＰ器件制造技术

本发明专利技术公开了一种ＯＴＰ器件，包括晶体管和电容，所述晶体管的栅极和所述电容的上极板相连，所述电容的中间介质为氮化硅。本发明专利技术可以降低在电容下极板的外加电压，也能改善结的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种OTP器件。
技术介绍
OTP(—次性编程，One Time Program)器件作为一种控制开关器件，有着结构简 单，容易运用；和逻辑制程相容性好凍成度高以及比EEPROM和e-FLASH价格低等优点，所 以在电路设计中得到广泛的运用。 请参阅图1和图2，图2是图1中A-A位置的剖面示意图。OTP器件包括一个晶体 管21和一个电容22。晶体管21 (如MOS晶体管)包括栅极141、源极211和漏极212。电 容22包括上极板142、电容中间介质132和下极板112。该电容上极板142与晶体管21的 栅极141相连，两者均为多晶硅14。电容下极板112为N型有源区。现有的OTP器件中，电 容中间介质132为氧化硅(Si02)。 OTP器件的工作原理是这样的通过在电容下极板112上加电压，电容由于耦合效 应，会在上极板142上感应出一定的电压。由于晶体管21的栅极141和耦合电容22的上 极板142是共用的多晶硅14，因此在晶体管21的栅极141也产生了相应的电压降。如果 在晶体管21漏极212加上高电压，就能形成热电子效应，电子会注本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＯＴＰ器件，包括晶体管和电容，所述晶体管的栅极和所述电容的上极板相连，其特征是：所述电容的中间介质为氮化硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文生，丁宇，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]