共享字线的无触点ＳＯＮＯＳ分栅式闪存制造技术

本发明专利技术提出的共享字线的无触点ＳＯＮＯＳ分栅式闪存，得到的闪存器件将两个存储位单元共享使用一个字线，通过对字线、第一控制栅、第二控制栅、第一位线和第二位线施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除，共享位线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片的面积，同时也可以避免过擦除的问题。同时采用无触点的设计，使得闪存器件具有尺寸小，工艺与ＣＭＯＳ传统工艺兼容的特点，有利于器件尺寸进一步缩小。

【技术实现步骤摘要】

本发 明涉及半导体设计制造领域，且特别涉及一种共享字线的无触点SONOS分栅 式闪存。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。 从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的 需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非 易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开 关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电 可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储 器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。然而现有的闪存在迈向更高存储密度的时候，由于受到编程电压的限制，通过缩 小器件尺寸来提高存储密度将会面临很大的挑战，因而研制高存储密度的闪存是闪存技术 发展的重要推动力。传统的闪存在迈向更高存储密度的时候，由于受到结构的限制，实现器 件的编程电压进一步减小将会面临着很大的挑战。一般而言，闪存为分栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪存由于其 特殊的结构，相比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共享字线的无触点ＳＯＮＯＳ分栅式闪存，其特征在于，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；第一位线和第二位线，分别连接于所述源极区域和漏极区域；氮化硅存储单元，位于所述沟道区上方；字线，位于所述氮化硅存储单元上方，所述字线两侧具有弧形结构延伸至所述第一位线和第二位线上方，并通过绝缘层与所述第一位线和第二位线顶部相隔离；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于所述氮化硅存储单元和字线两侧，其中，所述氮化硅存储单元包括第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储单元邻近第一控制栅，所述第二存储单元邻近第二控制栅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹子贵，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]