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本发明提出的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存,得到的闪存器件将两个存储位单元共享使用一个字线,通过对字线、第一控制栅、第二控制栅、第一位线和第二位线施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除,共享位线的结构使得分栅式闪存其能够...该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提出的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存,得到的闪存器件将两个存储位单元共享使用一个字线,通过对字线、第一控制栅、第二控制栅、第一位线和第二位线施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除,共享位线的结构使得分栅式闪存其能够...