【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在多个表面上具有天线触点的RFID集成电路和标签相关申请的交叉引用本申请要求在2012年4月11日提交的美国临时专利申请系列号N0.61/623,016的权益。该临时专利申请的公开内容整体结合在此作为参考。本申请要求2012年8月9日提交的美国临时专利申请系列号N0.61/681,305的权益。该临时专利申请的公开内容整体结合在此作为参考。可发现本申请与于2012年5月29日颁证的美国专利N0.8,188,927相关,该美国专利的整体结合在此作为参考。可发现本申请与于2012年5月8日颁证的美国专利N0.8,174,367相关,该美国专利的整体结合在此作为参考。可发现本申请与于2012年7月24日颁证的美国专利N0.8,228,175相关,该美国专利的整体结合在此作为参考。可发现本申请与于2009年I月27日颁证的美国专利N0.7,482,251相关,该美国专利的整体结合在此作为参考。
技术介绍
射频识别(RFID)系统通常包含RFID读取器,该读取器也被称为RFID读取/写入器或RFID询问器以及RFID标签。RFID系统可用于盘存、定位、识别、认证、配置、启用/禁用以及监测物品。RFID标签附联到上述物品上或嵌入这些物品。RFID系统在零售领域可用于盘存和跟踪物品;在消费工业电子领域可用于配置、监测物品;在安全领域可用于防止物品损失或失窃;在防伪领域可用于确保物品真实性;在其他各种领域也有多种应用。 RFID系统通过RFID读取器使用射频(RF)波询问一个或多个标签来操作。RF波通常是电磁波,至少在远场是电磁波。RF波在近场主要也是电波或磁波。 ...
【技术保护点】
一种射频识别(RFID)集成电路(IC),包括:电耦合到第一天线触点和第二天线触点的第一电路模块;其中:所述第一天线触点设置在所述IC的第一表面上;所述第二天线触点设置在所述IC不同于所述第一表面的第二表面上;以及所述第一天线触点与所述第二天线触点彼此电断开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.04.11 US 61/623,016;2012.08.09 US 61/681,3051.一种射频识别(RFID)集成电路(1C),包括: 电耦合到第一天线触点和第二天线触点的第一电路模块;其中: 所述第一天线触点设置在所述IC的第一表面上; 所述第二天线触点设置在所述IC不同于所述第一表面的第二表面上;以及 所述第一天线触点与所述第二天线触点彼此电断开。2.如权利要求1所述的RFIDIC,其特征在于,所述第一天线触点不设置在所述第二表面上且所述第二天线触点不设置在所述第一表面上。3.如权利要求1所述的RFID1C,其特征在于,所述第一电路模块包括电荷泵、调制器、解调器、功率管理单元、阻抗匹配电路、调谐电路和处理单元中的至少一个。4.如权利要求1所述的RFID1C,其特征在于,所述第一电路模块包括调制器且所述调制器通过导电衬底电耦合到所述第一天线触点,且所述调制器经配置通过交替电连接并电断开所述第一天线触点和所述第二天线触点来产生RF响应。5.如权利要求1所述的RFID1C,其特征在于,所述第一电路模块包括电荷泵且该电荷泵通过导电衬底耦合到所述第一天线触点,使电流在入射RF信号的第一阶段期间通过所述导电衬底从所述第一天线触点流向所述第二天线触点,并在入射RF信号的第二阶段期间通过所述导电衬底从所述第二天线触点流向所述第一天线触点。6.如权利要求1所述的RFID1C,其特征在于,所述第一天线触点和所述第二天线触点中的至少一个包括至少一个基本跨越所述IC的整个表面的导电焊盘。7.如权利要求1所述的RFID1C,其特征在于,到至少一个所述天线触点的所述电耦合: 通过所述IC的导电衬底、穿过衬底的过孔及侧面触点中的至少一个;以及 是直流耦合和电容性耦合中的至少一种。8.如权利要求6所述的RFID1C,其特征在于,如果所述电耦合是直流耦合,则所述至少一个天线触点包括形成于所述衬底上的金属层或半金属层。9.如权利要求7所述的RFID1C,其特征在于,所述侧面触点沉积在不同于所述IC的所述第一表面和所述第二表面的第三表面上。10.如权利要求1所述的RFID1C,其特征在于,所述第一电路模块和所述第一天线触点通过穿过衬底的过孔彼此电连接,且所述第一天线触点与所述衬底电断开。11.如权利要求1所述的RFID1C,其特征在于,还包括用于存储第一码和第二码的存储器和处理模块,所述处理模块用于: 如果接收到第一命令则发射所述第一码; 接收第二命令;以及 作为对接收所述第二命令的响应,发射由所述第一码的至少部分和所述第二码的至少部分形成的组合,在所述组合被发射时所述处理模块不接收任何命令。12.如权利要求1所述的RFID1C,其特征在于,所述第一电路模块经配置以第一效率从入射到天线的RF波提取功率,且当所述提取功率超过第一值时根据协议开始运行,所述第一电路模块包括: 电耦合到所述第一天线触点和所述第二天线触点的可变阻抗元件;以及 调谐电路,所述调谐电路被配置为: 当所述提取功率超过小于所述第一值的第二值时开始运行,以及 调节可变阻抗元件以使所述第一电路模块能以大于所述第一效率的第二效率从所述RF波提取功率。13.如权利要求1所述的RFID1C,其特征在于,还包括: 在所述第一天线触点和所述第二天线触点中至少一个天线触点和天线之间的至少一个电容器,所述至少一个电容器包括介电材料,其中所述介电材料包括所述IC的覆盖层和所述天线的覆盖层中的至少一个。14.如权利要求1所述的RFIDIC,其特征在于,还包括处理模块,所述处理模块被配置为: 接收刷新信号;以及 作为接收刷新信号的响应,刷新盘点标志。15.如权利要求1所示的RFID1C,其特征在于,还包括不导电稳定层,其中所述第一天线触点设置在所述稳定层的表面上,且在所述第一电路模块和所述第一天线触点之间通过所述稳定层中的开口形成电连接。16.如权利要求1所示的RFID1C,其特征在于,所述第一表面和所述第二表面中的至少一个为六边形形状。17.一种用于制造射频识别(RFID)集成电路(IC)的方法,所述方法包括: 在所述IC的第一表面上形成第一天线触点; 在所述IC不同于所述第一表面的第二表面上形成第二天线触点;以及 将第一 IC电路模块电耦合到所述第一天线触点和所述第二天线触点, 其中所述第一天线触点与所述第二天线触点电断开。18.如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述第一IC电路模块包括调制器,且所述方法还包括:将调制器通过所述IC的导电衬底电耦合到所述第一天线触点,以使所述调制器能通过交替电连接并电断开所述第一天线触点和所述第二天线触点来产生RF信号。19.如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述第一天线触点和所述第二天线触点中的一个包括至少一个基本跨越所述IC的整个表面的导电焊盘。20.如权利要求17所述的方法,其特征在于,到所述天线触点上至少一个的电耦合是直流耦合和电容性耦合中的至少一种,且所述电耦合包括下列方式中的至少一种: 形成穿过衬底的过孔, 形成侧面触点,及 通过所述IC的导电衬底进行电耦合。21.如权利要求20所述的方法,其特征在于,形成所述第一天线触点包括:如果所述电耦合是直流耦合,则在所述衬底上形成金属层或半金属层。22.如权利要求20所述的方法,其特征在于,还包括在与所述IC的所述第一表面和所述第二表面不同的第三表面上沉积侧面触点。23.如权利要求22所述的方法,其特征在于,还包括分别在所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面上电镀所述第一天线触点、所述第二天线触点以及所述侧面触点中的至少一个。24.如权利要求17所述的方法,其特征在于,还包括通过穿过衬底的过孔电耦合所述第一电路模块和所述第一天线触点,并将所述第一天线触点从所述衬底电断开。25.如权利要求17所示的方法,其特征在于,还包括将所述第一表面和所述第二表面中的至少一个表面形成为六边形形状。26.一种利用具有设置在第一表面上的第一天线触点和设置在不同表面上的第二天线触点的射频识别(RFID)集成电路(IC)产生射频(RF)信号的方法,所述方法包括: 提供待编码写入所述RF信号的数据,以及 通过导电衬底电连接并电断开所述第一天线触点和所述第二天线触点以产生包括所述数据的所述RF信号。27.如权利要求26所述的方法,其特征在于,还包括在所述第一天线触点和所述第二天线触点电连接时通过调制器将所述数据编码写入所述RF信号,以使电流在入射RF信号的第一阶段期间通过所述导电衬底从所述第一天线触点流向所述第二天线触点,并在入射RF信号的第二阶段期间通过所述导电衬底从所述第二天线触点流向所述第一天线触点。28.如权利要求26所述的方法,其特征在于,在所述IC的公共状态提供的所述数据与在所述IC的私有状态提供的所述数据至少部分不同。29.如权利要求26所述的方法,其特征在于,提供的所述数据包括至少部分从标签序列号导出的物品序列号。30.一种射频识别(RFID)标签,包括: 具有第一天线端子和第二天线端子的天线; 具有第一部分和第二部分的衬底;以及 包括电耦合到第一天线触点和第二天线触点的第一电路模块的双面集成电路(IC),其中: 所述第一天线触点设置在所述IC的第一表面上, 所述第二天线触点设置在所述IC的不同于所述第一表面的第二表面上, 所述第一天线触点与所述第二天线触点电断开, 所述IC设置在所述衬底的所述第一部分上; 电连接形成于所述第一天线触点和所述第一天线端子之间,以及所述衬底的所述第二部分折叠到所述衬底的所述第一部分上,以在所述第二天线触点和所述第二天线端子之间形成电连接。31.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于: 所述第一天线端子设置在所述衬底的所述第一部分上; 所述第二天线端子设置在所述衬底的所述第一部分上;以及 所述衬底的所述第二部分包括电桥。32.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于,所述第二天线端子设置在所述衬底的所述第二部分上。33.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于,所述衬底包括配置为至少部分地容纳所述IC的凹陷部、衬底穿孔和狭缝中的至少一个。34.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于,: 所述衬底包括衬底穿孔, 所述第一天线端子设置在所述衬底的背面;且 所述衬底穿孔和所述第一天线端子为所述IC形成袋区。35.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于,所述第一电路模块包括电荷泵、调制器、解调器、功率管理单元、阻抗匹配电路、调谐电路和处理单元中的至少一个。36.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于,所述第一电路模块包括调制器,所述调制器通过导电衬底电耦合到所述第一天线触点,且所述调制器经配置通过交替电连接并电断开所述第一天线触点和所述第二天线触点来产生RF响应。37.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于,所述第一电路模块包括电荷泵且该电荷泵通过导电衬底耦合到所述第一天线触点,使得电流在入射RF信号的第一阶段期间通过所述导电衬底从所述第一天线触点流向所述第二天线触点并在入射RF信号的第二阶段期间通过所述导电衬底从所述第二天线触点流向所述第一天线触点。38.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于,所述第一天线触点和所述第二天线触点中的至少一个包括至少一个基本跨越所述IC的整个表面的导电焊盘。39.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于,到至少一个所述天线触点的所述电率禹合: 通过所述IC的导电衬底、穿过衬底的过孔及侧面触点中的至少一个;以及 是直流耦合和电容性耦合中的一种。40.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于,所述IC还包括用于存储第一码和第二码的存储器和处理模块,所述处理模块用于: 如果接收到第一命令则发射所述第一码; 接收第二命令;以及 作为对接收所述第二命令的响应,发射由所述第一码的至少部分和所述第二码的至少部分形成的组合,在所述组合发射时所述处理模块不接受任何命令。41.如权利要求30所述的RFID标签,其特征在于,所述第一电路模块经配置以第一效率从入射到天线的RF波提取功率,且当所述提取功率超过第一值时根据协议开始运行,所述第一电路模块包括: 电耦合到所述第一天线触点和所述第二天线触点的可变阻抗元件;以及 调...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·J·迪奥瑞欧,R·L·柯普,H·K·黑恩瑞奇,T·斯坦福,S·斯里尼瓦斯,R·A·奥利弗,
申请(专利权)人:英频杰公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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