一种自对准的垂直式半导体存储器器件及存储器阵列制造技术

本发明专利技术属于微电子技术领域，具体公开了一种自对准的垂直式半导体存储器器件，它包括一个源极、一个漏极、一层电荷捕获层、一个控制栅极、以及一个衬底，所述电荷捕获层用于存储电荷，该电荷捕获层包括第一介质层，第二介质层，第三介质层和导电栅极，其中第二介质层的禁带宽度小于第一和第三介质层。本发明专利技术还公开了上述半导体存储器器件组成的存储器阵列极其制造方法。本发明专利技术的半导体存储器器件具有单元面积小，且制造工艺简单等优点，采用本发明专利技术的存储器芯片，制造成本下降，而且存储密度得到提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，具体涉及一种自对准的垂直式非挥发性半导体存储器件以及一种应用这种器件的无接触式存储器阵列结构。本专利技术还涉及所述存储器器件以 及由该器件组成的阵列的制造方法。
技术介绍
半导体存储器被广泛应用于诸如工业控制、消费电子等各种领域中，这些存储芯 片的基本要求是高集成密度、低功耗以及高速度。 一般有两种途径来在相同的芯片面积下 提高存储器的存储能力，第一种是按比例縮小存储单元的特征尺寸；另一种就是优化器件 结构或者采用新型器件。由于电可擦除可编程只读存储器EEPROM与氮化物只读存储器 (Nitrided ROM)都是基于M0SFET所设计的器件结构，当这些存储单元的特征尺寸按比例 縮小后就会遇到短沟道效应的限制，因此业内优先选择能够抑制短沟道效应的新型器件来 提高芯片的存储能力。基于此，本专利技术提出了一种自对准_垂直_隧穿场效应晶体管只读 存储器(TFET Read Only Memory)，简称TR0M。由于隧穿场效应晶体管(TFET)可以抑制短 沟道效应，因此TR0M的栅长可以等比例縮小至20nm以下，同时泄漏电流依然很小。 对于存储器的存储密度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自对准的垂直式半导体存储器器件，其特征在于，包括：一个半导体衬底（１０７）；一个具有第一种掺杂类型的漏区（１０８）；两个具有第二种掺杂类型的源区（１０１ａ，１０１ｂ）；一个用于捕获电子的堆叠栅；。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏飞，孙清清，丁士进，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]