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本发明公开了一种ＯＴＰ器件，包括晶体管和电容，所述晶体管的栅极和所述电容的上极板相连，所述电容的中间介质为氮化硅。本发明可以降低在电容下极板的外加电压，也能改善结的击穿电压。...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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