胺类化合物的应用以及一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种如式１所示的胺类化合物在制备用于抛光氧化物介电质的抛光液中的应用；其中Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］和Ｒ↓［３］分别为氢、（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］ＣＯＯＲ↓［４］或（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］ＣＯＮＨ↓［２］，但不同时为氢；ｎ为０或１；Ｒ↓［４］为氢、碱金属离子、铵离子或碳原子数１～４的烷基。本发明专利技术还提供了一种化学机械抛光液，其含有如式１所示的胺类化合物中的一种或多种、二氧化硅、表面活性剂和水。本发明专利技术的抛光液能够提升氧化物介电质的抛光速率，同时抛光液中磨粒含量较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化合物的应用，尤其涉及一种胺类化合物的应用。本发 明还涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
在集成电路的制造过程中，硅晶圆基片上往往构建了成千上万的结构单 元，这些结构单元通过多层金属互连进一步形成功能性电路和元器件。在多 层金属互连结构中，金属导线之间填充二氧化硅或掺杂其他元素的二氧化硅作为层间介电质(ILD)。随着集成电路金属互连技术的发展和布线层数的增 加，化学机械抛光(CMP)已经广泛应用于芯片制造过程中的表面平坦化。这 些平坦化的芯片表面有助于多层集成电路的生产，且防止将电介层涂覆在不 平表面上引起的畸变。CMP工艺就是使用一种含磨料的混合物和抛光垫抛光集成电路表面。 在典型的化学机械抛光方法中，将衬底直接与旋转抛光垫接触，用一载重物 在衬底背面施加压力。在抛光期间，垫片和操作台旋转，同时在衬底背面保 持向下的力，将磨料和化学活性溶液(通常称为抛光液或抛光浆料)涂于垫 片上，该抛光液与正在抛光的薄膜发生化学反应开始进行抛光过程。在铜互连工艺的抛光过程中，铜抛光液往往引入一些化学物质，这些化 学物质中含有氮或氧原子，对金属离子有较强的络合或螯合作用，能够显著本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种如式１所示的胺类化合物在制备用于抛光氧化物介电质的抛光液中的应用；　　Ｒ↓［１］－＊－Ｒ↓［３］　式１　　其中，Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］和Ｒ↓［３］分别为氢、（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］ＣＯＯＲ↓［４］或（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］ＣＯＮＨ↓［２］，但不同时为氢；ｎ为０或１；Ｒ↓［４］为氢、碱金属离子、铵离子或碳原子数１～４的烷基。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国栋，姚颖，宋伟红，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]