一种垂直双扩散ＭＯＳ晶体管的制备方法技术

一种垂直双扩散ＭＯＳ晶体管制备方法，首先在外延层表面水平方向位于沟道区旁侧的位置与所处器件层的缓冲隔离氧化层同步生长一厚度较厚的绝缘层，再采用常规工艺方法完成垂直双扩散ＭＯＳ晶体管源、漏、栅的制备。厚绝缘层的引入，增加了多晶硅栅和外延层之间的相对距离，即增加了栅－漏电容两极板间的距离，从而在不改变多晶硅栅面积、不增大器件导通电阻的情况下，有效减小了器件的栅－漏电容，大大缩短了ＭＯＳ晶体管开关过程中对栅－漏电容的充放电时间，提高了ＭＯＳ晶体管的开关速度，并降低其动态损耗，使器件性能有了很大提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及MOS器件制备方法，具体涉及垂直结构的双扩散MOS晶体管制备方法， 属于半导体

技术介绍
在半导体集成电路中，以双扩散MOS晶体管为基础的电路，简称DMOS，利用两种杂 质原子的侧向扩撒速度差，形成自对准的亚微米沟道，可以达到很高的工作频率和速度。而 DMOS晶体管又可分为横向DMOS晶体管(简称LDMOS)和垂直DMOS晶体管(VDMOS)两种。 其中，垂直匿OS晶体管由于其良好的性能和高集成度，在半导体集成电路领域中得到越来 越多的应用。 图la为传统垂直双扩散MOS晶体管(简称VDMOS) 100剖面结构示意图。如图la 所示，垂直双扩散MOS晶体管100在N+硅衬底110上生长一层N—外延层120，电子由N+源 掺杂区104流经沟道105后改为垂直方向由衬底110流出。因此，漏电极101由硅片底面 引出，硅片表面只有源电极102和栅电极103，有利于提高集成度，其中，多晶硅栅130和外 延层120之间有一栅氧化层106，用于将多晶硅栅130和有源区隔开。 图lb为垂直双扩散MOS晶体管100单元结构内的寄生元件示意图，图lc为垂直 双扩散MOS晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直双扩散ＭＯＳ晶体管制备方法，其步骤包括：（１）提供第一半导体类型的半导体衬底，并在所述半导体衬底表面生长第一半导体类型的外延层；（２）在所述外延层表面依次沉积二氧化硅及氮化硅层，光刻后进行干法刻蚀，在所述二氧化硅及氮化硅层表面开长方形窗口至露出所述外延层表面；（３）以所述二氧化硅及氮化硅层为掩膜，在所述外延层表面生长一绝缘层，并去除所述作为掩膜的二氧化硅及氮化硅层；（４）热氧化生长栅氧化层并淀积多晶硅栅，依次掺杂形成第二半导体类型的沟道区和第一半导体类型的源掺杂区，并完成源、漏电极的制备。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宪周，克里丝，张雨，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]