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一种垂直双扩散ＭＯＳ晶体管制备方法，首先在外延层表面水平方向位于沟道区旁侧的位置与所处器件层的缓冲隔离氧化层同步生长一厚度较厚的绝缘层，再采用常规工艺方法完成垂直双扩散ＭＯＳ晶体管源、漏、栅的制备。厚绝缘层的引入，增加了多晶硅栅和外延层之间...
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