浅槽隔离结构的制作方法技术

本发明专利技术的浅槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层和硬掩膜层以形成一开口；在硬掩膜层的表面以及所述开口内淀积氧化层；通过刻蚀去除硬掩膜层表面的氧化层和衬底表面的部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，使所述浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，使所述浅沟槽的顶部尖角在这个过程中得以被充分圆化；在所述浅沟槽内填充绝缘介质；去除所述硬掩膜层和衬垫氧化层，形成浅槽隔离结构。采用本发明专利技术的方法可以在浅槽隔离结构顶部形成圆滑化的顶角，避免漏电流的产生。

Method for making shallow groove isolation structure

Manufacturing method of shallow trench isolation structure of the invention comprises the following steps: a pad oxide layer and the hard mask layer are formed on the surface of the substrate; sequentially etching a pad oxide layer and a hard mask layer to form an opening; on the surface of the hard mask layer and the opening in the deposition of oxide layer; the surface oxide hard mask the surface layer and the substrate part of the oxide layer is removed by etching, on both sides of the opening in the formation of a self-aligned sidewall; the self-aligned side wall for masking, etching a shallow trench in the substrate; removing the self-aligned side wall, the top of the shallow trench edges can be fully exposed to generate linear; the oxide in the shallow groove, the top of the shallow trench edges in this process can be a full circle; the insulating medium is filled in the shallow groove; the hard mask layer and the pad oxide layer is removed A shallow trench isolation structure is formed. By adopting the method of the invention, a rounded vertex angle can be formed at the top of the shallow groove isolation structure to avoid the generation of the leakage current.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造技术，尤其涉及一种。
技术介绍
浅槽隔离(shallow trench isolation, STI )是在村底(substrate)上 制作晶体管有源区之间隔离区的一种工艺。现有技术中是参见图1A,在衬底ll上生长一层 衬垫氧化层12 (pad oxide),在村垫氧化层12上淀积》更掩膜层(hard mask) 13，通过光刻制作出图形，然后通过干刻蚀(dry etch)依次对硬掩膜层13、 衬垫氧化层12和衬底11进行刻蚀，直至在衬底11中刻蚀出浅沟槽14。之后，参见图1B，在硬掩膜层13、浅沟槽14的側壁和浅沟槽14的底面上 生长一层薄的氧化膜15，再淀积氧化层16填充浅沟槽14，淀积氧化层16的工 艺例如采用高密度等离子体化学气相淀积(High Density Plasma Chemical Vapor D印osition， HDPCVD)工艺，氧化膜15的材料和氧化层16的材料通常 都为二氧化硅。参见图1C,通过机械化学平坦化(chemical mechanical planarization， CMP )技术抛光硬掩膜层13表面上的氧化层16本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层和硬掩膜层以形成一开口；在所述硬掩膜层的表面以及所述开口内淀积氧化层；通过刻蚀去除硬掩膜层表面的氧化层和衬底表面的部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，使所述浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，使所述浅沟槽的顶部尖角在这个过程中得以被充分圆化；在所述浅沟槽内填充绝缘介质；去除所述硬掩膜层和衬垫氧化层，形成浅槽隔离结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：易亮，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]