半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；电熔丝，其包括形成在衬底上的下层布线、提供在下层布线上并连接到下层布线的第一通路、和提供在第一通路上并连接到第一通路的上层布线，在电熔丝的切断状态下，形成构成电熔丝的导电材料的流出部分；以及热扩散部，其包括热扩散布线，该热扩散布线形成在与上层布线和下层布线中之一相同的层中，并且布置在上层布线和下层布线中的所述之一的一侧上，热扩散部电连接到上层布线和下层布线中的所述之一上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，更具体地，涉及包括电熔丝的半导 体器件。
技术介绍
存在如下技术，通过其将熔丝提供在半导体器件中，并且通过切 断该熔丝来调整在该半导体器件中使用的电阻的值，或者分离缺陷元 件并用合适的元件来代替。为了切断熔丝，使激光束射到该熔丝的部分上，或者对该熔丝施 加电流。日本专利申请特开(JP-A ) No.2005-39220 、 2005-57186和 2006-253237公开了在由于电迁移而导致形成每个熔丝的材料移动时 被切断的电熔丝。JP-A No.2005-39220公开了一种可以通过小量电流来切断的熔丝。 在JP-A No.2005-39220中，形成熔丝的导电材料被弯曲若干次。JP-A No.2005-57186公开了一种结构，其中熔化区域的下部和上部覆盖有镀 层，并且熔化区域的一侧覆盖有通路。JP-ANo.2006-253237公开了一种熔丝器件，其包括第一布线、经 由绝缘膜形成在第一布线上方的第二布线、和形成在绝缘膜中用以连接第一布线和第二布线的第一通路。第一通路主要由比第一布线和第 二布线的主要成分更容易导致电迁移的材料制成。JP-A No本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　衬底；　电熔丝，所述电熔丝包括形成在所述衬底上的下层布线、提供在所述下层布线上并连接到所述下层布线的第一通路、以及提供在所述第一通路上并连接到所述第一通路的上层布线，在所述电熔丝的切断状态下，构成所述电熔 丝的导电材料形成一流出部分；以及　热扩散部，所述热扩散部包括热扩散布线，所述热扩散布线形成在与所述上层布线和所述下层布线之中的一个布线相同的层中，并且该热扩散布线布置在所述上层布线和所述下层布线之中的该一个布线的一侧上，所述热扩散部电 连接于所述上层布线和所述下层布线之中的所述一个布线。

【技术特征摘要】
JP 2008-8-11 2008-2073561.一种半导体器件，包括衬底；电熔丝，所述电熔丝包括形成在所述衬底上的下层布线、提供在所述下层布线上并连接到所述下层布线的第一通路、以及提供在所述第一通路上并连接到所述第一通路的上层布线，在所述电熔丝的切断状态下，构成所述电熔丝的导电材料形成一流出部分；以及热扩散部，所述热扩散部包括热扩散布线，所述热扩散布线形成在与所述上层布线和所述下层布线之中的一个布线相同的层中，并且该热扩散布线布置在所述上层布线和所述下层布线之中的该一个布线的一侧上，所述热扩散部电连接于所述上层布线和所述下层布线之中的所述一个布线。2. 如权利要求l所述的半导体器件，其中，所述热扩散布线至少形成在所述上层布线和所述下层布线之中的 所述一个布线与所述第一通路相连接的点处的一侧上。3. 如权利要求l所述的半导体器件，其中，所述热扩散布线沿着所述上层布线和所述下层布线之中的所述一 个布线布置。4. 如权利要求l所述的半导体器件，其中，所述热扩散部进一步包括连接布线，该连接布线形成在与所述上 层布线和所述下层布线之中的所述一个布线相同的层中，并且将所述 热扩散布线连接至所述上层布线和所述下层布线之中的所述一个布 线。5. 如权利要求4所述的半导体器件，其中，在所述上层布线和所述下层布线之中的所述一个布线与所述第一通路相连接的点处，所述连接布线连接至所述上层布线和所述下层布 线之中的所述一个布线。6. 如权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高冈洋道，窪田吉孝，津田浩嗣，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[]