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半导体器件制造技术
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文档序号:4130620
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本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底;电熔丝,其包括形成在衬底上的下层布线、提供在下层布线上并连接到下层布线的第一通路、和提供在第一通路上并连接到第一通路的上层布线,在电熔丝的切断状态下,形成构成电熔丝的导电材料的流出部分;以及...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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