【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是全氟化合物的分离和纯化方法。本专利技术还涉及全氟化合物的分离和净化系统。本专利技术的方法和系统尤其适用于半导体生产，例如适用于来自半导体加工工具的废气的处理。在半导体生产工业中广泛应用全氟化合物(PFCS)。例如，在各种蚀刻过程如氧化物、金属及电介质蚀刻步骤中需要PFCS。在这些过程中，气体或等离子体选择性地除去沉淀在底层的部分沉积层部分。全氟化合物还用于淀积工业过程，如硅化学气相淀积(CVD)，以及用于半导体加工室的清洁。用于上述过程的全氟化合物气体包括，例如四氟化碳(CF4)、六氟乙烷(C2F6)、全氟丙烷(C3F8)。三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)、二氟化氮(NF3)及碳酸氟(COF2)。这些气体既可以以纯的方式、也可以以稀释的方式使用。普通载运气体包括空气和惰性气体，例如N2、Ar、He及它们的混合物。全氟化合物还可以与其它PFC气体混合使用。在用于蚀刻和清洁过程时，PFCS通常不完全反应。因此，在来自加工工具的废气中会出现未反应PFCS。除了购买PFCS需巨额成本外，已经公知和证实了PFCS排入大气会危害环境。在1994...
【技术保护点】
一种纯化全氟化合物的方法，包括步骤：（ａ）将含全氟化合物的气体流引进第一蒸馏塔；（ｂ）从该第一塔提取一种轻产品，及从该第一塔提取一种重产品；（ｃ）将该第一塔轻产品引进第二蒸馏塔；（ｄ）从该第二塔提取一种轻产品，及从该第二塔提 取一种重产品；（ｅ）将该第二塔轻产品引进第三蒸馏塔；及（ｆ）从该第三塔提取一种轻产品，及从该第三塔提取一种重产品。
【技术特征摘要】
US 1997-1-16 7834461.一种纯化全氟化合物的方法，包括步骤(a)将含全氟化合物的气体流引进第一蒸馏塔；(b)从该第一塔提取一种轻产品，及从该第一塔提取一种重产品；(c)将该第一塔轻产品引进第二蒸馏塔；(d)从该第二塔提取一种轻产品，及从该第二塔提取一种重产品；(e)将该第二塔轻产品引进第三蒸馏塔；及(f)从该第三塔提取一种轻产品，及从该第三塔提取一种重产品。2.根据权利要求1的方法，其中含全氟化合物的气体流包括C2F6和CF4。3.根据权利要求2的方法，其中C2F6作为重产品从该第二塔提取，及CF4作为重产品从第三塔提取。4.根据权利要求3的方法，其中第二塔重产品含有C2F6，带有少于约10ppm的杂质。5.根据权利要求3的方法，其中第三塔重产品含有CF4，带有少于约10ppm的杂质。6.根据权利要求3的方法，其中第二塔的重产品含有C2F6，带有少于约10ppm的杂质，及第三塔重产品含有CF4，带有少于约10ppm的杂质。7.根据权利要求2的方法，其中含全氟化合物的气体流还包括N2和SF6。8.根据权利要求7的方法，其中该N2作为轻产品从该第三塔提取，及该SF6作为重产品从第一塔提取。9.根据权利要求1的方法，其中第二和第三塔热连接在一起。10.根据权利要求9的方法，其中该第二塔和该第三塔相互在顶部叠置。11.根据权利要求10的方法，其中该第三塔叠置在第二塔上。12.根据权利要求9的方法，其中该第二塔和该第三塔装在一个壳内。13.根据权利要求9的方法，其中该第三塔底部的液体冷凝来自该第二塔上部的蒸汽。14.根据权利要求1的方法，其中该第一、第二和第三塔热连接在一起。15.根据权利要求1的方法，其中该第一塔的工作压力约为5至15bar范围内，及其工作温度约为0至-90℃的范围内。16.根据权利要求1的方法，其中第二塔的工作压力约5至12bar的范围内，及其工作温度约为0至-120℃的范围内，及第三塔的工作压力约为1至10bar的范围内、和其工作温度约为-50至-200℃的范围内。17.根据权利要求16的方法，其中该第二塔的工作温度约为-25至-100℃的范围内。18.根据权利要求16的方法，其中该第三塔的工作温度约为-90至-180℃的范围内。19.根据权利要求1的方法，还包括将第二塔重产品引进一个第四蒸馏塔。20.根据权利要求1的方法，其中将该含全氟化合物的气体流在引进第一塔之前供给一个冷吸附单元。21.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：B哈，T阿库里，
申请(专利权)人：空气液体美国公司，空气液体加工工程公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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