一种制备高电阻率硅晶片的方法技术

本发明专利技术提供一种制备高电阻率硅结构的方法，包括以下步骤：首先，提供一掺杂浓度为中等、初始电阻率为２００－１０００ｏｈｍ－ｃｍ的Ｐ型硅结构；其次，对所述硅结构进行热处理，通过所述热处理产生氧热施主，使得所述硅结构中的部分或全部空穴被抵消。本发明专利技术方法首先提供掺杂浓度为中等、电阻率并不是很高的ｐ型晶片，然后对其进行热处理，通过控制热处理过程的时间使得热处理过程不会产生过多的氧热施主，由于先前提供的晶片的掺杂浓度为中等，因此对于ｐ型晶片，产生的适当氧热施主会使晶片中部分或全部受体空穴产生抵消，从而可使晶片的电阻率显著地上升。通过本发明专利技术方法可得的电阻率高达１０００ｏｈｍ－ｃｍ以上的晶片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料制造
，特别涉及。
技术介绍
近来，随着在用于制备高电阻率单晶硅晶片的制造技术中已经实现的改进，这种 晶片在高电阻率电子工业中的使用得到扩展。直拉(Czochralski，CZ)方法是制备单晶硅 晶片最常用的方法。但是由目前的技术制备的CZ硅也不是没有局限性。例如，硼是CZ硅 内的常见杂质。为了生长具有足够高的纯度以直接实现这种高电阻率的CZ材料，硼浓度通 常不超过1. 3 X IO13原子/厘米3。但是，一旦实现了这种低硼浓度，会存在第二个挑战，即 存在热施主。利用CZ法制造的硅晶体由于利用石英坩锅进行晶体生长，因此在晶体中含有 过饱和的氧，该氧在热处理工序中形成热施主，在集成电路制造工序的热处理后就会产生 使基板的电阻率变动这样的问题。热施主的形成在低电阻率晶片内通常不是问题，这是因为低电阻率的掺杂浓度比 较高，少量的热施主产生不会对电阻率产生较大的影响。但是，对于其中添加的掺杂剂浓度 低的高电阻率应用，在器件处理步骤内形成热施主是影响最终晶片电阻率的主要因素。因 此，对于高电阻率CZ应用，残留的间隙氧浓度将对器件处理期间的热施主形成率产生很大影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备高电阻率硅结构的方法，包括以下步骤：　　首先，提供一掺杂浓度为中等、初始电阻率为２００－１０００ｏｈｍ－ｃｍ的Ｐ型硅结构；　　其次，对所述硅结构进行热处理，通过所述热处理产生氧热施主，使得所述硅结构中的一部分或全部空穴被抵消。

【技术特征摘要】
一种制备高电阻率硅结构的方法，包括以下步骤首先，提供一掺杂浓度为中等、初始电阻率为200 1000ohm cm的P型硅结构；其次，对所述硅结构进行热处理，通过所述热处理产生氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎坡，曼纽尔，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]